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近年来，太阳能等可再生能源的应用显著增长。推动这一发展的因素包括政府的激励措施、技术进步以及系统成本降低。虽然光伏（PV）系统比以往任何时候都更加合理，但仍然存在一个主要障碍，即我们最需要能源时，太阳能并不产生能源。清晨，当人们和企业开始一天的工作时，对电网的需求会上升；晚上，当人们回到家[详细]
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年5月7日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Si[详细]
2024年5月6日--智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，将于5月至6月举办面向新能源和电动汽车应用领域的技术经理、工程师和渠道合作伙伴的2024“碳”路先锋技术日暨碳化硅(SiC) 和功率解决方案5城巡回研讨会。该系列研讨会将针对汽车电气化和智能化以及工业市场可持续性能[详细]
随着企业向低碳未来迈进，市场越来越需要更高效的功率半导体。开发功率半导体解决方案的关键目标在于，尽量降低系统总成本和缩小尺寸，同时提高效率。于是，智能功率模块 (IPM) 应运而生，并成为热泵市场备受瞩目的解决方案。这种模块结构紧凑、高度集成，具有高功率密度以及先进的控制与监测功能，非常适合热泵[详细]
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块 (IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比， SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而总体系统成本更低。由于这些IPM集成了[详细]
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），该系列适用于包括数据中心和光伏功率调节器等应用的开关电源。首批采用TO-247封装的两款650 V N沟道功率MOSFET产品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日开始支持[详细]
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出多功能新型30V n沟道TrenchFET 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-F封装[详细]
致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飞凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW高功率密度双向相移全桥方案。图示1-大联大品佳基于Infineon产品的3.3KW高功率密度双向相移全桥方案的展示板图当前，全球对于可再生能源的关注度日益提高，[详细]
全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗（瑞士证券交易所股票代码：AMS）今日宣布，推出OSTAR Projection Compact系列半高、超高亮度LED的红光、纯绿光和蓝光版本，机器视觉系统或舞台照明设备制造商因此可创造出功能更强大、外形更纤薄的产品。艾迈斯欧司朗此前已推出采用该封装规格的白光版本，当时称[详细]
代表着下一代电源系统未来的，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧，为业界首个采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。针对不适合[详细]
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