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全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全[详细]
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”，TSE：6723）与全球氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布双方已达成最终协议，根据该协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股，较Transphorm在2024年1月10日的收盘价溢价[详细]
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”，TSE：6723）与全球氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布双方已达成最终协议，根据该协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股，较Transphorm在2024年1月10日的收盘价溢价[详细]
代表着下一代电源系统未来的，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧，为业界首个采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。针对不适合[详细]
据了解，镓未来成立于2020年，专注宽禁带半导体氮化镓功率器件在电力电子领域的应用。近年来，公司的发展势头愈发亮眼，已研发出了650V、900V系列多款小功率（<300W）、中功率（300W~1kW）和大功率（1kW~10kW）GaN功率器件，广泛应用于消费电子、电动工具、数据中心、便携储能、微型逆变器、电动汽车、智能电[详细]
第三代半导体行业已进入加速发展阶段。氮化镓行业加速发展，竞争格局迎来巨变在碳化硅市场，包括意法半导体、Wolfspeed、英飞凌、罗姆、安森美等国际碳化硅器件大厂基本上每家厂商在手订单都在10亿美元以上；中国厂商方面，虽然目前订单量暂时不如国外传统功率大厂，但以天岳先进、东莞天域、瀚天天成、三安光电[详细]
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，和传统材料Si相比，具备禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、开关频率高以及电子饱和速度快等优势，发展潜力巨大。氮化镓迎来爆发式增长，应用场景逐渐由消费电子向更多新兴市场拓展为此，自上世纪90年代起，一些全球领先的科研机构就开始着手氮化镓材料的研究，并致力于实现[详细]
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，和传统材料Si相比，具备禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、开关频率高以及电子饱和速度快等优势，发展潜力巨大。氮化镓迎来爆发式增长，应用场景逐渐由消费电子向更多新兴市场拓展为此，自上世纪90年代起，一些全球领先的科研机构就开始着手氮化镓材料的研究，并致力于实现[详细]
致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半导体（ST）ViperGaN50器件的GaN电源转换器方案。图示1-大联大友尚基于ST产品的GaN电源转换器方案的实体图近年来，以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料在消费电子领域的渗透率不断提升，其能够以高能效和高功率[详细]
EPC和uPI Semiconductor合作向市场提供uP1966 GaN半桥驱动器。 uP1966E是一个85 V双通道栅极驱动器，设计用于驱动半桥和全桥拓扑中的高侧和低侧eGaN®FETS。该驱动器集成了内部自举电源和UVLO，尺寸为1.6 mm x 1.6 mm WLCSP。 uP1966E可与EPC eGaN FET一起用于桥式拓[详细]
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