5月13日,意法半导体和MACOM宣布宣布成功生产射频硅基氮化镓(RF GaN-on-Si)原型。RF GaN-on-Si为5G和6G基础设施提供了巨大潜力。长期存在的射频功率技术横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)主导了早期射频功率放大器(PA)。对于这些射频功率放大器,GaN可以提供比LDMOS更高的射频特性和显着更高的输出功率。此外,[详细]
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