意法半导体与MACOM成功生产射频硅基氮化镓原型
5月13日，意法半导体和MACOM宣布宣布成功生产射频硅基氮化镓（RF GaN-on-Si）原型。RF GaN-on-Si为5G和6G基础设施提供了巨大潜力。长期存在的射频功率技术横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)主导了早期射频功率放大器(PA)。对于这些射频功率放大器，GaN可以提供比LDMOS更高的射频特性和显着更高的输出功率。
此外，它可以在硅或碳化硅(SiC)芯片上制造。由于高功率应用对SiC晶圆的竞争以及其非主流半导体加工，RF GaN-on-SiC可能会更昂贵。
目前，意法半导体和MACOM已经开始进一步研究以加快向市场交付先进射频GaN-on-Si产品的速度。
意法半导体功率晶体管子集团总经理兼执行副总裁EdoardoMerli表示：“我们相信，该技术现在已经达到了性能水平和工艺成熟度，可以有效地挑战现有的LDMOS和GaN-on-SiC，我们可以为包括无线基础设施、商业化在内的大批量应用提供成本和供应链优势，将RF GaN-on-Si产品商业化是我们与MACOM合作的下一个重要里程碑。”
意法半导体和MACOM的合作早有渊源。
2018年2月，MACOM和意法半导体宣布一份硅上氮化镓GaN合作开发协议。意法半导体为MACOM制造硅上氮化镓射频芯片。
2019年3月，MACOM和意法半导体(ST)宣布在2019年扩大ST工厂在150mm硅基氮化镓的产能，而200mm的硅基氮化镓依需求扩产。该扩产计划旨在支援全球5G电信网建设，其基于2018年初MACOM和ST所宣布达成的硅基氮化镓协议。
如需要了解更多ST意法半导体MCU产品，请联系核心代理商（980010600）颖特新科技，或者扫码联系我们！
编辑：ls 最后修改时间：2022-08-09
