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2022-11半导体砍单风暴扩大！台积电7nm产能利用率跌破50%

11月9日消息，据中国台湾省电子时报报道，业内人士称，台积电7nm产能利用率目前已跌至50%以下，预计2023年第一季度跌势将加剧，台积电高雄新厂7nm制程的扩产也被暂缓。造成这一局势的主要原因是台积电IC设计客户大力砍单。据了解，联发科、AMD、高通、苹果与英特尔等下游厂商都在缩减订单，并延后拉货。资料显示[详细]

2020-08MOS管驱动电流估算及MOS驱动的几个特别应用解析

MOS管驱动电流估算及MOS驱动的几个特别应用解析 MOS管驱动电流估算是本文的重点，如下参数：有人可能会这样计算：开通电流 Ion=Qg/Ton=Qg/Td(on)+tr，带入数据得Ion=105nc/(140+500)ns=164mA 关断电流 Ioff=Qg/Toff= Qg/Td(off)+tf，带入数据得Ioff=105nc/(215+2[详细]

2020-08mos管功耗-mos管功耗计算方法及MOS驱动基础

mos管功耗-mos管功耗计算方法及MOS驱动基础 MOS管功耗，要确定一个MOSFET场效应管是否适于某一特定应用，需要对其功率耗散进行计算。耗散主要包括阻抗耗散和开关耗散：PDDEVICETOTAL=PDRESISTIVE+PDSWITCHING mos管功耗-低功耗趋势封装的小型化使封装的热阻降低，功率耗散才能进步，相同电[详细]

2020-08mos管推挽电路组成结构与特点晶体管和CMOS驱动级推挽电路图

mos管推挽电路组成结构与特点晶体管和CMOS驱动级推挽电路图推挽电路 mos管推挽电路，什么是推挽电路。推挽电路就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路。推挽电路采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管[详细]

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