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中国，2019年7月17日——意法半导体的STDRIVE601三相栅极驱动器用于驱动600V N沟道功率MOSFET和IGBT管，稳健性居目前业内最先进水平，可耐受低至-100V的负尖峰电压，逻辑输入响应速度在85ns以内，处于同级产品一流水平。STDRIVE601内置智能关断电路，可提高保护功能的启动速度，在检测到过载或短路后，立即关闭[详细]
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