IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,在电力电子领域具有广泛应用。其核心部分就是由硅晶圆制成的芯片。然而,通常情况下,晶圆的初始厚度可能并不符合设计要求,因此需要通过减薄工艺来实现最终所需的厚度。一、减薄原因1.设计需求首先,IGBT器件的设[详细]
在IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)器件制造过程中,晶圆是指用于制造芯片的单晶硅片。晶圆作为半导体器件制造的基础,扮演着至关重要的角色。颖特新将详细介绍IGBT中的晶圆,包括其材料选择、制备过程以及对器件性能的影响。IGBT中的晶圆是什么?晶圆通常采用高纯度的硅(Si)材料制成。硅作为最常用[详细]
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