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谏早电子有限公司宣布, 將為薄型Duel配置IGBT模块生產适配器单元VLB520-01R。产品内置栅极/发射极总布线长度调整电路, 对应1200V/1700V, ～800A的薄型Duel配置IGBT模块组, 使用简单高效的TLAC连接方式。令IGBT可轻松实现并联。薄型Duel配置IGBT模块 + VLB520现时使用于产业设备上的2in1类型中容量级别模块中,主[详细]
导语：最新资料显示，近期又有一批半导体项目迎来最新进展，其中，中芯国际、捷捷微电、扬杰科技等企业在列，涉及领域涵盖芯片设计、晶圆制造、封测、材料、功率半导体等。总投资11亿！深圳半导体企业落户北滘2月20日，据顺德区陈村镇消息，深圳市信展通电子股份有限公司下属全资子公司佛山市信展通电子有限公司[详细]
11 月 30 日消息，据比亚迪半导体官方消息，目前，PFC（功率因数校正）电路设计正朝着高效、高频、小体积、低成本以及集成化的方向发展。比亚迪半导体基于市场需求及技术发展趋势，推出集成 PFC 的 IGBT 模块新品。功率因数是用来衡量用电设备用电效率的参数，低功率因数代表低电力效能。为了提高用电设备功率因[详细]
全新功率器件将在瑞萨新落成的300mm甲府工厂生产2022 年 8 月 30 日?- 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出新一代Si-IGBT（硅基绝缘栅双极晶体管）器件——该产品以更小的尺寸带来更低的功率损耗。针对下一代电动汽车（EVs）逆变器应用，AE5代IGBT产品将于2023年上半年在瑞萨[详细]
“充电桩芯片”第一股东微半导在科创板挂牌上市，首日开盘5分钟涨超13%，市值破百亿元，惹来众人瞩目。实际上，东微半导是一家工业及汽车领域应用的半导体企业，在高压超级结、中低压SGT功率器件、IGBT芯片领域中，实现了国产化。 德系大厂背景，车芯“交集替代”？据悉，东微半导的联合创始人为龚轶与王鹏[详细]
导语：IGBT是电源转换的核心器件，由双极型三极管和MOSFET组成，适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统。目前，全球IGBT市场格局主要由英飞凌、安森美、意法半导体、富士电机、三菱电机等海外功率半导体厂商主导，尤其在中高端市场。不过，现在连龙头也开始“掉链子”了。刚刚最新消息，韩国现代汽车旗下IO[详细]
IGBT：功率器件领域最具发展前景的赛道IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ，绝缘栅双极晶体管，是由BJT(双极结型晶体管，即三极管）和MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管）两种结构复合而成的全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT同时具备MOSFET输入阻抗高、开关速度快、控制功率小、驱动电路简单、[详细]
“突破想象”，小米工程样车来了据手机中国消息，小米造车迎来最新进展，小米京津分公司总经理罗宝君接受采访时表示，今年第三季度就可以看到工程样车了，并且表示“一定会突破大家想象”。而就在半年前，2021年9月1日，小米董事长兼CEO雷军宣布，小米汽车正式注册，公司名为小米汽车有限公司，注册资金100亿，[详细]
6月28日，闻泰科技在投资者互动平台表示，公司IGBT已成功流片，尚在测试验证阶段。IGBT这类产品的应用市场广泛，主要面向新能源汽车、光伏/风力发电、工业控制、家电产品等领域。另外，针对智能座舱等新能源车业务进展表示，目前公司在智能座舱领域为头部智能汽车品牌配套的项目进展顺利，即将量产。公司产品集[详细]
意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。IGBT驱动器STGAP2HD 和SiC MOSFET驱动器STGAP2SICD 利用意法半导体最新的电隔离技术，采用SO-36W 宽体封装，能够耐受6kV瞬变电压。此外，±100V/ns dv/dt 瞬变耐量可防止在高电噪声工[详细]
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