IGBT_颖特新科技

最热知识

2020-08场效应管三极管 IGBT知识概括及三者如何使用分析

（一）IGBT IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。 IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中获得极广泛的应用。 IGBT是电压控制电流，可是说是集成块[详细]

2020-08华大半导体首款车规级16pin隔离型IGBT栅极驱动芯片：SA6880-S

华大半导体最新发布国内首款车规级隔离型IGBT栅极驱动芯片，填补了国内隔离型栅极驱动芯片的空白。本产品采用磁隔离技术，具备更低的延迟，更低功耗和更高可靠性，适用于新能源车电驱、电力输配电、光伏发电、大型电机控制等领域的IGBT驱动。目前该产品已经通过电驱动公司和一些新能源车公司的测试。产品主要性[详细]

2019-07意法半导体的先进IGBT专为软开关优化设计可提高家电感应加热效率

中国，2019年3月22日 — 意法半导体的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER™IGBT两款产品能够在软开关电路中实现最佳的导通和开关性能，提高谐振转换器在16kHz-60kHz开关频率范围内的能效。新IH系列器件属于意法半导体针对软开关应用专门优化的沟栅式场截止(TFS) IGBT产品家族，适[详细]

2018-01IGBT模块的密勒电容影响

需要首先了解IGBT或IGBT模块的寄生电容参数： IGBT寄生电容是其芯片的内部结构固有的特性，芯片结构及简单的原理图如下图所示。输入电容Cies及反馈电容Cres是衡量栅极驱动电路的根本要素，输出电容Coss限制开关转换过程的dv/dt，Coss造成的损耗一般可以被忽略。其中：Cies = CGE + CGC：输入电容（输出短路[详细]

2017-12IGBT热敏电阻的温度测量方法

　　igbt热敏电阻的运行原理是建立在诸多因素的基础上的。在电子生产当中常用NTC温度传感器测量igbt热敏电阻的温度。那么对于这种电阻来说，其温度测量方法是怎样的呢？　　在igbt热敏电阻变流器装置中，最关键的参数之一是igbt热敏电阻的温度。直接测量的办法是[详细]

2017-09IGBT的吸收电容过热有哪些原因

IGBT的吸收电容过热原因有几方面构成呢?接下来颖特新科技为大家揭晓。1、此电容是吸收过冲能量的一个电容，要求是低损耗、高频性能好，而且要允许通过大的脉动电流;2、此电容选料要用聚碳酸树脂或者CBB料;3、制作工艺一定要用无感办法，不能用卷绕制造方法;4、喷金工艺不好也是发热的一个因素;5、引出线应该用紫[详细]

2017-09IGBT元件的构造与特征

IGBT的构造和功率MOSFET的对比如图 1-1 所示。IGBT 是通过在功率MOSFET 的漏极上追加p+层而构成的，从而具有以下种种特征。 (1) MOSFET的基本结构(2) IGBT的基本结构图 1-1 功率MOSFET 与IGBT 的构造比较1.1 电压控制型元件 IGBT 的理想等效电路，正如图 1-2 所示，是对pnp 双极型晶体管和功率MOSFET 进行达[详细]

2017-09Vishay推出用于直接IGBT安装的镀金属聚丙烯膜缓冲电容器

Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---Vishay Roederstein MKP386M，该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块上，容量从0.047μF到10μF，可在+105℃高温下工作，有700VDC～2500VDC和420VAC～8[详细]

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