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5月13日，意法半导体和MACOM宣布宣布成功生产射频硅基氮化镓（RF GaN-on-Si）原型。RF GaN-on-Si为5G和6G基础设施提供了巨大潜力。长期存在的射频功率技术横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)主导了早期射频功率放大器(PA)。对于这些射频功率放大器，GaN可以提供比LDMOS更高的射频特性和显着更高的输出功率。此外，[详细]
据麦姆斯咨询报道，全球半导体领导者意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）近日推出了带有智能传感器处理单元（intelligent sensor processing unit，ISPU）的新型MEMS惯性传感器：ISM330ISN，为在线生活（“onlife”）时代赋能：与训练有素的智能设备交互，将智能从“在边缘上（[详细]
意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。IGBT驱动器STGAP2HD 和SiC MOSFET驱动器STGAP2SICD 利用意法半导体最新的电隔离技术，采用SO-36W 宽体封装，能够耐受6kV瞬变电压。此外，±100V/ns dv/dt 瞬变耐量可防止在高电噪声工[详细]
立即获得无需设计的动态性能增益新的EV12AQ600/605-ADX4器件选项具有集成的ADX4许可证密钥，可提高高达6.4 GS/s（单通道模式）的峰值运行时的动态性能。ADX4? - 与Xilinx Kintex? Ultrascale FPGA兼容的后处理算法可在宽带应用中提供高达10 dBFS的SFDR动态杂散抑制和接近1个有效位的额外分辨率。时间交[详细]
意法半导体宣布推出ST4SIM-201机器间通信(M2M)嵌入式 SIM (eSIM)芯片，新产品符合最新的5G 网络接入和M2M 安全规范，以及灵活的远程激活管理标准。ST4SIM-201 符合 ETSI/3GPP标准16 版，可以连接到 5G 独立组网(SA)，还可以连接到 3G 和 4G 网络，以及低功耗广域 (LPWA)网络技术，例如，机器长期演进 [详细]
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列无引线NTC热敏电阻祼片---NTCC201E4，上下表面接触，为设计师提供多种安装选择。Vishay BCcomponents NTCC201E4使用银金属焊接层，支持铝线键合，可采用真空回流焊或甲酸/合成气体回流焊、SAC或SMP焊接以及纳米银膏烧结。器件支持引线键合、焊接和纳米银膏绕[详细]
意法半导体发布了IPS1025H和IPS1025H-32单通道可编程高边开关。这两款开关内置欠压保护、过压保护、过载保护、过热保护功能，能够智能驱动高启动电流的容性负责、阻性负责或感性负载。IPS1025H和IPS1025H-32的不同之处在于内部可编程限流大小。IPS1025H的限流值是2.5A，而 IPS1025H-32则限流5.7A。除了主限流之[详细]
描述简介基于航顺HK32F030R8制作的的低成本串行Flash烧录器，可以用来烧录常见的8脚SOP-208封装的串行Flash，也可对Flash进行功能测试。采用核心板+扩展板分离式设计，一方面方便后续更换治具来适配不同封装的FLASH，另一方面也可以把核心板单独作为一个开发板使用。特性核心板+扩展板设计，方便灵活。核心板资[详细]
意法半导体推出了内置智能传感器处理单元 (ISPU) 的新惯性传感器，推动onlife （一直在线）生活时代的到来，人们与经过训练的智能设备互动，智能技术从网络边缘移向深度边缘设备。ISM330ISN常开 (always-on) 6 轴惯性测量单元 (IMU)传感器内部嵌入智能技术，就尺寸和功耗而言，其测量性能和精准度堪称业界一流。[详细]
为了便于向高效宽带隙技术的过渡，意法半导体发布了分别适用于高达 45W 和 150W 的应用的 MasterGaN3 和 MasterGaN5 集成功率封装。加入面向 65W 至 400W 应用的 MasterGaN1、MasterGaN2 和 MasterGaN4，这些新增产品为设计开关电源、充电器、适配器、高压功率因数校正时选择最佳 GaN 器件和驱动器解决方案提供[详细]
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