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PSRAM，全称Pseudo static random access memory，属于伪静态SRAM器件，内置内存颗粒和SDRAM的颗粒类似，器件外部接口和SRAM相似，不需要跟SDRAM一样复杂的控制器和刷新机制可以采用跟SRAM一样的接口模式外扩PSRAM器件。PSRAM芯片容量包括1Mbytex8，2Mbytex8，4Mbytex8，8Mbytex8四种，不能够与SDRAM的高密度容[详细]
SDRAMH57V2562GTR-75C 256M(16*16)K4S561632N-LC60 256M(16*16) DDRK4H561638N-LCCC 256Mb<16M*6> H5DU2562GTR-E3C 256Mb<16M*6> K4H511638J-LCCC &nb[详细]
存储器分为易失性存储器和非易失性存储器，区别在于前者掉电后数据会被清除通常RAM（随机读取存储器）就是易失性存储器的代表，它有包含有DRAM（动态随机存储器）和SRAM（静态随机存储器），他们之前不同在于生产工艺的不同，SRAM保存数据是靠晶体管锁存的，DRAM保存数据靠电容充电来维持。SRAM的工艺复杂，生产[详细]
DFT : Design For TestabilityTTR :Test Time ReductionKGD: Known Good DieNAND Flash 芯片测试主要是为了筛选（Screen Out）出Flash阵列、译码器、寄存器的失效。测试流程（Test Flow）从wafer level，到single component level、module level，定义各项测试的次序，筛选出性能较差和失效的device，需要[详细]
一、DIP双列直插式封装DIP(DualIn－linePackage)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝 大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯 片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。[详细]
STM32f1xxx的闪存模块由：主存闪存、信息块和闪存存储器接口寄存器等3部分组成。各个部分的大小因不同型号有一定的差异，数据手册可以看到小容量产品主存储块1-32KB，每页1KB。系统存储2KB。中容量产品主存储块64-128KB，每页1KB。系统存储2KB。大容量产品主存储块256KB以上，每页2KB。系统存储2KB。主存储器：[详细]
W25X64 是华邦公司推出的大容量SPI FLASH 产品，W25X64 的容量为 64Mbit(8M)，该系列还有 W25Q80/16/32 等。W25X16,W25X32,W25X64分别有8192,16384,32768个可编程页,每页256字节,用扇区擦除指令每次可以擦除16页,用块擦除指令每次可以擦除256页,用整片擦除指令既可以擦除整个芯片,W25X16,W25X32,W25X64分[详细]
NAND Flash是一种非易失性随机访问存储介质，基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计，通过浮栅来锁存电荷，电荷被储存在浮栅中，它们在无电源供应的情况下仍然可以保持。关于NAND Flash技术基本原理之前有过讲解，大家可以参考文章闪存技术最全面解析。今天主要讨论下NAND Flash生产过程、架构和关键指标。NAND Fl[详细]
1，按照JEDEC标准（JESD79-4），DDR4目前标准的JEDEC官方频率规格的为1600，1866，2133，2400，2666，3200，简单来说就是，这六个频率为官方标准的原生默频频率（由于JEDC最高为3200，因此3200以上均为非规范频率，比如XMP），1600和1866这两个频率将应用在某些特殊行业及领域，零售领域从2133起售。在官方标准[详细]
新一代DDR4与上一代DDR3内存相比，新一代 DDR4 内存性能有了大幅度提升，而且功耗还降低了不少。更让大家兴奋的是，目前它的价格和 DDR3 相差无几。这难免令新装机用户心动。但是首先非常遗憾的告诉大家，DDR3 与 DDR4 内存相差较大，从外观到参数都是绝对的变化，也不互相兼容。DDR4 内存条每次内存升级换代时[详细]
一、基本特性容量256Mb，最小的组织单位是页每个页256个字节，可进行页编程(一次写256个字节)；16个页组成4KB的扇区，可进行扇区擦除，128个扇区组成32KB块，64KB的组，可以整片擦除。256有8192个扇区和512个块。 256支持标准的SPI接口，2/4线SPI，SPI频率最大104MHz，64位唯一序列号[详细]
相较于EEPROM而言，SPI Flash的存储空间简直就是打开了一个新世界。以W25Q16为例，16Mb也就是2MB的空间，是AT24C08芯片的1KB空间的2048倍，价格也没有相差很多。同时使用SPI总线可以实现更高的读写速度，W25Qxx的SPI总线可以达到80MHz，这是IIC总线望尘莫及的，而且我比较喜欢用的STM32单片机的IIC总线总是让人[详细]
前言：这个所谓的芯片内执行（XIP）对于我这种一根筋的人是很难理解的，一直总觉得CPU是只能在RAM中运行程序，为何能够在Nor Flash中执行程序呢，这里面就有个概念容易混淆，也可能是翻译理解的问题。所谓片内执行不是说程序在存储器内执行，CPU的基本功能是取指、译码、运行。Nor Flash能在芯片内执行，指的是[详细]
W25Q64是华邦公司推出的大容量SPI FLASH产品，其容量为64Mb。该25Q系列的器件在灵活性和性能方面远远超过普通的串行闪存器件。W25Q64将8M字节的容量分为128个块，每个块大小为64K字节，每个块又分为16个扇区，每个扇区4K个字节。W25Q64的最小擦除单位为一个扇区，也就是每次必须擦除4K个字节。所以，这需要给W2[详细]
1.SPI是串行外围设备接口。SPI的接口主要应用在EEPROM，FLASH，实时时钟， AD 转换器，还有数字信号处理器和数字信号解码器之间。2. SPI，是一种高速的，全双工，同步的通信总线，3.芯片的管脚上只占用四根线， STM32 也有 SPI 接口。4.Master与Slave :主机与从机。5.SPI 接口一般使用 4 条线通信：MISO 主设备[详细]
颖特新为winbond战略合作伙伴，华邦代理商。负责华邦解决方案系列在中国区的推广，解决客户在使用华邦系列产品中存在的问题。联系电话：0755-82591179，在线QQ：83652985 W25Q128是华邦公司推出的大容量SPI FLASH 产品，W25Q128的容量为128Mb。擦写周期多达10W次，具有20年的数据保存期[详细]
一、引脚介绍引脚名称引脚功能CLE 命令锁存功能ALE 地址锁存功能/CE 芯片使能/RE 读使能/WE写使能/WP写保护R/B 就绪/忙输出信号Vcc电源Vss地N.C不接IO0~IO7传输数据、命[详细]
1引言NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片，数据掉电不会丢失。NOR FLASH 支持Execute On Chip，即程序可以直接在FLASH 片内执行。这点和NAND FLASH 不一样。因此，在嵌入是系统中，NOR FLAS H 很适合作为启动程序的存储介质。NOR FLAS H 的读取和RAM很类似，但不可以直接进行写操作。对NOR FLAS H 的写操作需要遵[详细]
业界领先的半导体供应商兆易创新GigaDevice宣布全新的SPI NOR Flash --- GD25WDxxCK产品系列正式量产，它是业界首款采用1.5mm′1.5mm USON8最小封装，并支持1.65V至3.6V的低功耗宽工作电压的产品。作为GigaDevice久经市场验证的1.8V、2.5V、3.0V SPI NOR Flash产品系列的有效补充，这款全新的宽电压、超小[详细]
1、闪存基本介绍Flash存储是存储界的新人和红人。Flash存储系统由于其优异的性能、高效的存储密度和出色的节能特性使得Flash存储有望替代机械磁盘成为企业级存储的核心。未来很有可能所有的数据都会存储在Flash存储介质上面，包括银行、中小企业、互联网、电信等存储大户。紫外线可擦除存储器当年沉迷于电子设计[详细]
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