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一、影响性能的主要时序参数所谓的影响性能是并不是指SDRAM的带宽，频率与位宽固定后，带宽也就不可更改了。但这是理想的情况，在内存的工作周期内，不可能总处于数据传输的状态，因为要有命令、寻址等必要的过程。但这些操作占用的时间越短，内存工作的效率越高，性能也就越好。非数据传输时间的主要组成部分就[详细]
SDRAM从发展到现在已经经历了五代，分别是:第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM，第五代，DDR4 SDRAM。第一代SDRAM采用单端(Single-Ended)时钟信号,第二代、第三代与第四代由于工作频率比较快，所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。SDR SDRAM的时钟频率就是数据存[详细]
HT:工具好用.DEMO难搞.成本中等.PIC:工具难用,DEMO易搞.成本偏高.FREESCALE:工具难用,DEMO易搞.成本偏高.STC/51:工具好用,DEMO易搞.成本偏低.AVR:工具好用,DEMO易搞.成本中等.MSP430:工具非常好用,DEMO易搞.成本偏高.EMC:工具好用,DEMO难搞.成本偏低.SUNPLUS:工具难用,DEMO难搞.成本偏低.TENX:工具难用,DEMO难搞[详细]
tws调成双耳模式只需要将耳机恢复出厂设置后再重新与手机连接即可。具体操作步骤如下：1、在手机蓝牙界面找到连接的tws蓝牙耳机后，断开蓝牙连接。2、将耳机放入耳机盒中，同时长按左右耳机的触摸部位7秒，耳机白色指示灯长亮，松开按键。3、耳机复位后，耳机白色指示灯闪烁，进入配对模式，再进入手机蓝牙重新[详细]
国际大厂商如三星（samsung),现代（hynix），镁光（Micron）等厂商的小容量nand flash 都已逐步停产，市场也呈现缺货涨价势头。下面给大家介绍最近２年风头正劲的韩国ATO公司的小容量nand flash，由于供货稳定，性价比好，开始受到各大生产厂商的热捧。 ATO的nand fla[详细]
RAM存储器自诞生来，已发展成多个版本，有SRAM、pSRAM、DRAM等，下一个是什么呢？颖特新工程师为你介绍什么是MRAM高速内存。人们一直以来都觉得电脑开机之后看着Windows进度条一次次划过，然后点击登录、打开桌面这样的过程是理所当然？之所以每次开机时操作系统都必须重新做一次内存初始化的操作，是因为现在的[详细]
虽然2019年Q3中美贸易争端有所缓解（将重启谈判），2019年智能手机及服务器的需求量继续低于原先预期。此外，上半年CPU缺货对笔记本电脑出货仍略有影响，因此，eMMC/UFS、SSD等产品第三季旺季出货量恐不如预期，合约价跌势难止。2019年上半年，OEM着重各类产品去化库存，备货动能疲弱，NAND Flash合约均价已连续[详细]
内存的正式名字叫做“存储器”，是半导体行业三大支柱之一。2016年全球半导体市场规模为3400亿美金，存储器就占了768亿美元。对于你身边的手机、平板、PC、笔记本、安防等所有电子产品来说，存储器就类似于钢铁之于现代工业，是名副其实的电子行业“原材料”。存储器芯片领域，主要分为两类：易失性和非易失性。[详细]
NAND Flash解决方案架构主流分为：raw NAND、ClearNAND和eMMC三种，各有不同的架构、界面和终端应用。生产厂商将会视不同客户和不同产品应用的需求，而灵活运用raw NAND、ClearNAND和eMMC 这3种NAND Flash解决方案。raw NANDraw NAND即是一般的NAND Flash内存芯片，所有的ECC除错机制(Error Correcting Code)、[详细]
高速SRAM芯片一般是指异步快速SRAM芯片，读取速度在8/10/12ns之间，大多数用于工业级应用，高速设备应用，服务器，金融系统等行业，对于高速SRAM芯片要如何选型？颖特新工程师建议一般考虑以下几个：1、高速SRAM存储器容量容量是衡量 SRAM存储数据的能力大小，它们主要的单位换算方式如下：1.1常用的单位有：bi[详细]
一、什么是SRAM存储器？SRAM存储器是一种需要在支持供电的条件下才可以存储数据的静态随机存储器，一般在高性能产品中是关键的部分，一般来说SRAM存储器是分为两种，一种是异步SRAM，另一种是同步SRAM。同步型sram采用一个输入时钟来启动至存储器的所有事务处理(读、写、取消选定等)。而异步型sram则并不具备时[详细]
PSRAM是一种伪静态SRAM存储器，它具有类似SRAM的接口协议：给出地址、读、写命令，就可以实现存取，不像DRAM需要memory controller来控制内存单元定期数据刷新，接口简单；PSRAM的内核是DRAM架构：1T1C一个晶体管一个电容构成存储cell，而传统SRAM需要6T即六个晶体管构成一个存储cell。由此结合，他可以实现类S[详细]
PSRAM，全称Pseudo static random access memory，属于伪静态SRAM器件，内置内存颗粒和SDRAM的颗粒类似，器件外部接口和SRAM相似，不需要跟SDRAM一样复杂的控制器和刷新机制可以采用跟SRAM一样的接口模式外扩PSRAM器件。PSRAM芯片容量包括1Mbytex8，2Mbytex8，4Mbytex8，8Mbytex8四种，不能够与SDRAM的高密度容[详细]
SDRAMH57V2562GTR-75C 256M(16*16)K4S561632N-LC60 256M(16*16) DDRK4H561638N-LCCC 256Mb<16M*6> H5DU2562GTR-E3C 256Mb<16M*6> K4H511638J-LCCC &nb[详细]
存储器分为易失性存储器和非易失性存储器，区别在于前者掉电后数据会被清除通常RAM（随机读取存储器）就是易失性存储器的代表，它有包含有DRAM（动态随机存储器）和SRAM（静态随机存储器），他们之前不同在于生产工艺的不同，SRAM保存数据是靠晶体管锁存的，DRAM保存数据靠电容充电来维持。SRAM的工艺复杂，生产[详细]
DFT : Design For TestabilityTTR :Test Time ReductionKGD: Known Good DieNAND Flash 芯片测试主要是为了筛选（Screen Out）出Flash阵列、译码器、寄存器的失效。测试流程（Test Flow）从wafer level，到single component level、module level，定义各项测试的次序，筛选出性能较差和失效的device，需要[详细]
一、DIP双列直插式封装DIP(DualIn－linePackage)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝 大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯 片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。[详细]
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