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NAND Flash解决方案架构主流分为：raw NAND、ClearNAND和eMMC三种，各有不同的架构、界面和终端应用。生产厂商将会视不同客户和不同产品应用的需求，而灵活运用raw NAND、ClearNAND和eMMC 这3种NAND Flash解决方案。raw NANDraw NAND即是一般的NAND Flash内存芯片，所有的ECC除错机制(Error Correcting Code)、[详细]
高速SRAM芯片一般是指异步快速SRAM芯片，读取速度在8/10/12ns之间，大多数用于工业级应用，高速设备应用，服务器，金融系统等行业，对于高速SRAM芯片要如何选型？颖特新工程师建议一般考虑以下几个：1、高速SRAM存储器容量容量是衡量 SRAM存储数据的能力大小，它们主要的单位换算方式如下：1.1常用的单位有：bi[详细]
一、什么是SRAM存储器？SRAM存储器是一种需要在支持供电的条件下才可以存储数据的静态随机存储器，一般在高性能产品中是关键的部分，一般来说SRAM存储器是分为两种，一种是异步SRAM，另一种是同步SRAM。同步型sram采用一个输入时钟来启动至存储器的所有事务处理(读、写、取消选定等)。而异步型sram则并不具备时[详细]
PSRAM是一种伪静态SRAM存储器，它具有类似SRAM的接口协议：给出地址、读、写命令，就可以实现存取，不像DRAM需要memory controller来控制内存单元定期数据刷新，接口简单；PSRAM的内核是DRAM架构：1T1C一个晶体管一个电容构成存储cell，而传统SRAM需要6T即六个晶体管构成一个存储cell。由此结合，他可以实现类S[详细]
PSRAM，全称Pseudo static random access memory，属于伪静态SRAM器件，内置内存颗粒和SDRAM的颗粒类似，器件外部接口和SRAM相似，不需要跟SDRAM一样复杂的控制器和刷新机制可以采用跟SRAM一样的接口模式外扩PSRAM器件。PSRAM芯片容量包括1Mbytex8，2Mbytex8，4Mbytex8，8Mbytex8四种，不能够与SDRAM的高密度容[详细]
SDRAMH57V2562GTR-75C 256M(16*16)K4S561632N-LC60 256M(16*16) DDRK4H561638N-LCCC 256Mb<16M*6> H5DU2562GTR-E3C 256Mb<16M*6> K4H511638J-LCCC &nb[详细]
存储器分为易失性存储器和非易失性存储器，区别在于前者掉电后数据会被清除通常RAM（随机读取存储器）就是易失性存储器的代表，它有包含有DRAM（动态随机存储器）和SRAM（静态随机存储器），他们之前不同在于生产工艺的不同，SRAM保存数据是靠晶体管锁存的，DRAM保存数据靠电容充电来维持。SRAM的工艺复杂，生产[详细]
DFT : Design For TestabilityTTR :Test Time ReductionKGD: Known Good DieNAND Flash 芯片测试主要是为了筛选（Screen Out）出Flash阵列、译码器、寄存器的失效。测试流程（Test Flow）从wafer level，到single component level、module level，定义各项测试的次序，筛选出性能较差和失效的device，需要[详细]
一、DIP双列直插式封装DIP(DualIn－linePackage)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝 大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯 片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。[详细]
STM32f1xxx的闪存模块由：主存闪存、信息块和闪存存储器接口寄存器等3部分组成。各个部分的大小因不同型号有一定的差异，数据手册可以看到小容量产品主存储块1-32KB，每页1KB。系统存储2KB。中容量产品主存储块64-128KB，每页1KB。系统存储2KB。大容量产品主存储块256KB以上，每页2KB。系统存储2KB。主存储器：[详细]
W25X64 是华邦公司推出的大容量SPI FLASH 产品，W25X64 的容量为 64Mbit(8M)，该系列还有 W25Q80/16/32 等。W25X16,W25X32,W25X64分别有8192,16384,32768个可编程页,每页256字节,用扇区擦除指令每次可以擦除16页,用块擦除指令每次可以擦除256页,用整片擦除指令既可以擦除整个芯片,W25X16,W25X32,W25X64分[详细]
NAND Flash是一种非易失性随机访问存储介质，基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计，通过浮栅来锁存电荷，电荷被储存在浮栅中，它们在无电源供应的情况下仍然可以保持。关于NAND Flash技术基本原理之前有过讲解，大家可以参考文章闪存技术最全面解析。今天主要讨论下NAND Flash生产过程、架构和关键指标。NAND Fl[详细]
1，按照JEDEC标准（JESD79-4），DDR4目前标准的JEDEC官方频率规格的为1600，1866，2133，2400，2666，3200，简单来说就是，这六个频率为官方标准的原生默频频率（由于JEDC最高为3200，因此3200以上均为非规范频率，比如XMP），1600和1866这两个频率将应用在某些特殊行业及领域，零售领域从2133起售。在官方标准[详细]
新一代DDR4与上一代DDR3内存相比，新一代 DDR4 内存性能有了大幅度提升，而且功耗还降低了不少。更让大家兴奋的是，目前它的价格和 DDR3 相差无几。这难免令新装机用户心动。但是首先非常遗憾的告诉大家，DDR3 与 DDR4 内存相差较大，从外观到参数都是绝对的变化，也不互相兼容。DDR4 内存条每次内存升级换代时[详细]
一、基本特性容量256Mb，最小的组织单位是页每个页256个字节，可进行页编程(一次写256个字节)；16个页组成4KB的扇区，可进行扇区擦除，128个扇区组成32KB块，64KB的组，可以整片擦除。256有8192个扇区和512个块。 256支持标准的SPI接口，2/4线SPI，SPI频率最大104MHz，64位唯一序列号[详细]
相较于EEPROM而言，SPI Flash的存储空间简直就是打开了一个新世界。以W25Q16为例，16Mb也就是2MB的空间，是AT24C08芯片的1KB空间的2048倍，价格也没有相差很多。同时使用SPI总线可以实现更高的读写速度，W25Qxx的SPI总线可以达到80MHz，这是IIC总线望尘莫及的，而且我比较喜欢用的STM32单片机的IIC总线总是让人[详细]
前言：这个所谓的芯片内执行（XIP）对于我这种一根筋的人是很难理解的，一直总觉得CPU是只能在RAM中运行程序，为何能够在Nor Flash中执行程序呢，这里面就有个概念容易混淆，也可能是翻译理解的问题。所谓片内执行不是说程序在存储器内执行，CPU的基本功能是取指、译码、运行。Nor Flash能在芯片内执行，指的是[详细]
W25Q64是华邦公司推出的大容量SPI FLASH产品，其容量为64Mb。该25Q系列的器件在灵活性和性能方面远远超过普通的串行闪存器件。W25Q64将8M字节的容量分为128个块，每个块大小为64K字节，每个块又分为16个扇区，每个扇区4K个字节。W25Q64的最小擦除单位为一个扇区，也就是每次必须擦除4K个字节。所以，这需要给W2[详细]
1.SPI是串行外围设备接口。SPI的接口主要应用在EEPROM，FLASH，实时时钟， AD 转换器，还有数字信号处理器和数字信号解码器之间。2. SPI，是一种高速的，全双工，同步的通信总线，3.芯片的管脚上只占用四根线， STM32 也有 SPI 接口。4.Master与Slave :主机与从机。5.SPI 接口一般使用 4 条线通信：MISO 主设备[详细]
颖特新为winbond战略合作伙伴，华邦代理商。负责华邦解决方案系列在中国区的推广，解决客户在使用华邦系列产品中存在的问题。联系电话：0755-82591179，在线QQ：83652985 W25Q128是华邦公司推出的大容量SPI FLASH 产品，W25Q128的容量为128Mb。擦写周期多达10W次，具有20年的数据保存期[详细]
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