NuMicro® Mini58 系列为 32 位单片机,内建 ARM® Cortex®-M0 内核,最高可运行至 50MHz ,具 32K 字节 Flash 内存、 4K 字节内建 SRAM 、可配置的数据 Flash( 与程序 Flash 内存共享 ) 、 2K 独立 Flash 字节作为在线系统程序设计 (In System Programming) 用途。 NuMicro® Mini58 系列内嵌丰富[详细]
NuMicro® Mini58 系列为 32 位单片机,内建 ARM® Cortex®-M0 内核,最高可运行至 50MHz ,具 32K 字节 Flash 内存、 4K 字节内建 SRAM 、可配置的数据 Flash( 与程序 Flash 内存共享 ) 、 2K 独立 Flash 字节作为在线系统程序设计 (In System Programming) 用途。 NuMicro® Mini58 系列内嵌丰富[详细]
NuMicro® Mini58FDE 为 32 位单片机,内建 ARM® Cortex®-M0 内核,最高可运行至 50MHz ,具 32K 字节 Flash 内存、 4K 字节内建 SRAM 、可配置的数据 Flash( 与程序 Flash 内存共享 ) 、 2K 独立 Flash 字节作为在线系统程序设计 (In System Programming) 用途。 NuMicro® Mini58 系列内嵌[详细]
MINI57TDE 微控制器以Arm® Cortex®-M0为核心,其内建RC震荡器,运行速度高达48 MHz。针对工业应用高精准控制需求,ADC内建两组取样保持电路 (Sample and Holds)可以同时量测两路类比讯号,并内建一组8阶可调整增益放大器(PGA),可放大微小讯号,省去PCB板增加外部元件之成本。其16位高解析度PWM运行速度[详细]
MINI57FDE 微控制器以Arm® Cortex®-M0为核心,其内建RC震荡器,运行速度高达48 MHz。针对工业应用高精准控制需求,ADC内建两组取样保持电路 (Sample and Holds)可以同时量测两路类比讯号,并内建一组8阶可调整增益放大器(PGA),可放大微小讯号,省去PCB板增加外部元件之成本。其16位高解析度PWM运行速度[详细]
新唐 MINI57EDE 微控制器以Arm® Cortex®-M0为核心,其内建RC震荡器,运行速度高达48 MHz。针对工业应用高精准控制需求,ADC内建两组取样保持电路 (Sample and Holds)可以同时量测两路类比讯号,并内建一组8阶可调整增益放大器(PGA),可放大微小讯号,省去PCB板增加外部元件之成本。其16位高解析度PWM运[详细]
M032SE3AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器,具有 32 位硬件乘法器/除法器。运行频率高达 48 MHz,工作电压为 1.8 ~ 3.6 V,配备128 KB Flash 和 16 KB SRAM。凭借其特殊设计的性能,如 2 MSPS ADC,96 MHz PWM,24 MHz SPI,6 MHz UART。可应用于工业控制和消费类应用,让电压、电流[详细]
M032LE3AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器,具有 32 位硬件乘法器/除法器。运行频率高达 48 MHz,工作电压为 1.8 ~ 3.6 V,配备128 KB Flash 和 16 KB SRAM。凭借其特殊设计的性能,如 2 MSPS ADC,96 MHz PWM,24 MHz SPI,6 MHz UART。可应用于工业控制和消费类应用,让电压、电流[详细]
M031TD2AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器,具有 32 位硬件乘法器/除法器。运行频率高达 48 MHz,工作电压为 1.8 ~ 3.6 V,配备64 KB Flash 和 8 KB SRAM。凭借其特殊设计的性能,如 2 MSPS ADC,96 MHz PWM,24 MHz SPI,6 MHz UART。可应用于工业控制和消费类应用,让电压、电流和[详细]
M031TC1AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器,具有 32 位硬件乘法器/除法器。运行频率高达 48 MHz,工作电压为 1.8 ~ 3.6 V,配备32 KB Flash 和 4 KB SRAM。凭借其特殊设计的性能,如 2 MSPS ADC,96 MHz PWM,24 MHz SPI,6 MHz UART。可应用于工业控制和消费类应用,让电压、电流和[详细]
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