16GB(TwinDie™)DDR4 SDRAM使用Micron的8GB DDR4 SDRAM模具;两个x8组合成一个x16。与mono x16类似,有一个额外的zq连接,用于更快的zq校准和x8寻址所需的bg1控制。请参阅Micron的8GB DDR4 SDRAM数据表(x8选项)本文件中未包含的规范。与双模制造零件号相关的基本零件号MT40A1G8规范MT40A1G16。[详细]
16GB(TwinDie™)DDR4 SDRAM使用Micron的8GB DDR4 SDRAM模具;两个x8组合成一个x16。与mono x16类似,有一个额外的zq连接,用于更快的zq校准和x8寻址所需的bg1控制。请参阅Micron的8GB DDR4 SDRAM数据表(x8选项)本文件中未包含的规范。与双模制造零件号相关的基本零件号MT40A1G8规范MT40A1G16。[详细]
16GB(TwinDie™)DDR4 SDRAM使用Micron的8GB DDR4 SDRAM模具;两个x8组合成一个x16。与mono x16类似,有一个额外的zq连接,用于更快的zq校准和x8寻址所需的bg1控制。请参阅Micron的8GB DDR4 SDRAM数据表(x8选项)本文件中未包含的规范。与双模制造零件号相关的基本零件号MT40A1G8规范MT40A1G16。[详细]
16GB(TwinDie™)DDR4 SDRAM使用Micron的8GB DDR4 SDRAM模具;两个x8组合成一个x16。与mono x16类似,有一个额外的zq连接,用于更快的zq校准和x8寻址所需的bg1控制。请参阅Micron的8GB DDR4 SDRAM数据表(x8选项)本文件中未包含的规范。与双模制造零件号相关的基本零件号MT40A1G8规范MT40A1G16。[详细]
16GB(TwinDie™)DDR4 SDRAM使用Micron的8GB DDR4 SDRAM模具;两个x8组合成一个x16。与mono x16类似,有一个额外的zq连接,用于更快的zq校准和x8寻址所需的bg1控制。请参阅Micron的8GB DDR4 SDRAM数据表(x8选项)本文件中未包含的规范。与双模制造零件号相关的基本零件号MT40A1G8规范MT40A1G16。[详细]
16GB(TwinDie™)DDR4 SDRAM使用Micron的8GB DDR4 SDRAM模具;两个x8组合成一个x16。与mono x16类似,有一个额外的zq连接,用于更快的zq校准和x8寻址所需的bg1控制。请参阅Micron的8GB DDR4 SDRAM数据表(x8选项)本文件中未包含的规范。与双模制造零件号相关的基本零件号MT40A1G8规范MT40A1G16。[详细]
16GB(TwinDie™)DDR4 SDRAM使用Micron的8GB DDR4 SDRAM模具;两个x8组合成一个x16。与mono x16类似,有一个额外的zq连接,用于更快的zq校准和x8寻址所需的bg1控制。请参阅Micron的8GB DDR4 SDRAM数据表(x8选项)本文件中未包含的规范。与双模制造零件号相关的基本零件号MT40A1G8规范MT40A1G16。[详细]
ddr4 sdram是一种高速动态随机存取存储器,内部配置为x16配置的8行dram和x4和x8配置的16行dram。DDR 4 SDRAM采用8n预取结构实现高速操作。8n预取结构与设计的接口结合在一起,每个时钟周期在I/O引脚处传输两个数据字。ddr 4 sdram的单个读或写操作由内部dram核上的单个8n位宽的四时钟数据传输和两个对应的n位宽[详细]
ddr4 sdram是一种高速动态随机存取存储器,内部配置为x16配置的8行dram和x4和x8配置的16行dram。DDR 4 SDRAM采用8n预取结构实现高速操作。8n预取结构与设计的接口结合在一起,每个时钟周期在I/O引脚处传输两个数据字。ddr 4 sdram的单个读或写操作由内部dram核上的单个8n位宽的四时钟数据传输和两个对应的n位宽[详细]
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