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扩展程序存储器常用的芯片是EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)型(紫外线可擦除型)， 如2716(2K×8)、2732(4K×8)、2764(8K×8)、27128(16K×8)、27256(32K×8)、27512(64K×8)等。另外，还有+5 V电可擦除EEPROM，如2816(2K×8)、2864(8K×8)等等。紫外线[详细]
AVR单片机内部集成了EEPROM，但是在GCC写编写EEPROM应用程序的时候，经常会出现读写EEPROM时程序出错，或重启等不正常现象。在软件仿真时也许结果是正确的，但是在片上运行的时候就不正常。困扰很久，终于发现原因在于编译器，已经我们对EEPROM操作说明的理解不正确或不仔细。操作EEPROM对时序的要求较高。更加[详细]
1、外部程序存储器的扩展原理及时序MCS-51单片机扩展外部程序存储器的硬件电路如图所示。从图中可以看出，在进行系统扩展时采用的是总线结构。数据总线是由P0口提供；地址总线由P0口和P2口共同提供；控制总线用专用的控制信号。 MCS-51单片机访问外部程序存储器所使用的控制信号有：ALE和PSEN。其中ALE是[详细]
I2C总线是由PHILIPS公司开发的两线式串行总线，多用于连接微处理器及其外围设备。I2C总线的主要特点是接口方式简单，两条线可以挂多个参与通信的器件，即多机模式，而且任何一个器件都可以作为主机，当然同一时刻只能一个主机。 从原理上来讲，UART属于异步通信，比如电脑发送给单片机，电脑只负责把数[详细]
电改写EEPROM芯片既可像RAM一样修改其存储单元中的内容，又可像ROM一样在断电后保持存储单元中程序与数据内容不变，因而电改写EEPROM在各种场合得到广泛应用。下面以Intel公司生产的EEPROM2864A芯片为例介绍电改写EEPROM。2864A是电擦除可编程的只读存储器芯片。单一+5V供电，最大工作电流为160mA，维持电[详细]
图为扩展8KB×8的程序存储器27C64与单片机的连接电路。该电路也称为8031的最小系统。要通过对这个系统的分析，掌握存储器扩展电路的连接与单片机外部程序存储器操作时序的关系，即单片机的数据总线D0～D7、地址总线A0～A15和控制信号 、 、ALE与外扩EPROM、74LS373的信号连接关系以及74LS373在电路中的作用。图[详细]
FLASH的全称是FLASH EEPROM，但跟常规EEPROM的操作方法不同。FLASH 和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器[详细]
Atmel为业界领先的非易失性存储器生产厂商，其EEPROM可适应各种应用。Atmel 可为各种应用提供先进的全套非易失性存储器解决方案，包括全球最畅销的串行闪存系列之一 数据闪存®。串行 EEPROM — 适用于各种应用的灵活存储器设备，可存储个人偏好数据、系统校准和配置数据以及高写入次数的数据记录并行 EEPRO[详细]
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