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TC58BYG2S0HBAI6是一个1.8V 4Gbit(4，429，185，024位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×2048块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字节×6[详细]
TC58CVG0S3HxAIx是支持SPI接口的嵌入式应用程序的串行接口NANDFlash。组织为(2048 64)字节×64页×1024块。该设备具有2112字节数据缓冲器，其允许程序和读取数据以2112字节增量在缓冲器和存储器单元阵列之间传送。擦除操作是在一个单一块单元中实现的(128 K字节、4字节：2112字节×64页)。该装置具有连续读页操[详细]
TC58CVG2S0HXAIX是用于支持SPI接口的嵌入式应用程序的串行接口NAND闪存。组织为(4096 128)字节×64页×2048块。该设备具有 4224 字节数据缓冲区，它允许程序和读取数据在缓冲区和内存单元阵列之间以 4224 字节的增量传输。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字节×64页)。该装置采用高速[详细]
TC58 CYG0S 3HxA Ix 是一个用于嵌入式应用程序的串行接口 NAND Flash ，支持 SPI 接口。组织为(2048 64)字节×64页×1024块。TC58CYG0S3HxAIx被组织为(2048 64)字节×64页×1024块。该设备具有一个2112字节的数据缓冲区，它允许程序和读取的数据在缓冲区和以2112字节为增量的存储器单元阵列。擦除操作是在[详细]
TC58NVG0S3HBAI4是一个单一的3.3V 1Gbit(1，140，850，688位)NAND电可擦除和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 128)字节×64页×1024块。该设备具有2176字节静态寄存器，允许程序和读取数据以2176字节增量在寄存器和存储器单元阵列之间传输。擦除操作是在单个块单元中实现的(128千字节，8千字节：217[详细]
TC58NVG0S3HBAI6是一个单一的3.3V 1Gbit(1，140，850，688位)NAND电可擦除和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 128)字节×64页×1024块。该设备具有2176字节的静态寄存器，其允许程序和读取数据以2176字节的增量在寄存器和存储器单元阵列之间传输。擦除操作是在单个块单元中实现的(128千字节，8千字节[详细]
TC58NVG0S3HTA00是一个单一的3.3V 1Gbit(1，140，850，688位)NAND电可擦除和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 128)字节×64页×1024块。该设备具有2176字节的静态寄存器，其允许程序和读取数据以2176字节的增量在寄存器和存储器单元阵列之间传输。擦除操作是在单个块单元中实现的(128千字节，8千字节[详细]
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