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2019-09东芝NAND闪存：TC58NYG0S3HBAI6

TC58NYG0S3HBA6是一个1.8V1Gbit(1,140,850,688位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(2048+128)字节或64页或1024个块。该设备具有2176字节的静态寄存器，其允许程序和读取数据以2176字节的增量在寄存器和存储器单元阵列之间传输。擦除操作是在单个块单元中实现的(128千字节，8千字节：2176字节×[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TC58NYG1S3HBAI4

TC58NYG1S3HBAI4 是一个单一的 1.8V 2Gbit(2,281 ，701 ，376 位) NAND 电气可擦除和可编程只读存储器 (NANDE2PROM) 组织为 (2048 ，128)字节× 64 页× 2048 块。该装置具有两个2176字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以2176字节增量传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+8[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TC58NYG1S3HBAI6

TC58NYG1S3HBAI6是一个1.8V2Gbit(2,281,701,376位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(2048+128)字节或64页或2048块。该设备具有两个2176字节的静态寄存器，允许程序和读取数据以2176字节的增量在寄存器和内存单元数组之间传输。擦除操作在单个块单元(128KB+8KB：2176字节/64页)中实现。TC58NYG[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TC58NYG2S0HBAI4

TC58NYG2S0HBAI4是一个1.8V4Gbit(4，563，402，752位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 256)字节×64页×2048块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字节：435[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TC58NYG2S0HBAI6

TC58NYG2S0HBAI6是一个1.8V 4 Gbit(4，563，402，752位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 256)字节×64页×2048块。该设备具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字节：435[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58BVG3S0HBAI4

TH58BVG3S0HBAI4是一个单一的3.3V 8 Gbit(8，858，370，048位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×4096块。该设备具有4224字节静态寄存器，允许程序和读取数据以4224字节增量在寄存器和存储器单元阵列之间传输。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58BVG3S0HBAI6

TH58BVG3S0HBAI6是一个3.3V8Gbit(8,858,370,048位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(4096+128)字节或64页或4096块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字节×64页)。[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58BVG3S0HTA00

TH58BVG3S0HTA00是一个3.3V8Gbit(8,858,370,048位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(4096+128)字节或64页或4096块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字节×64页)。[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58BVG3S0HTAI0

TH58BVG3S0HTAI0是一个3.3V 8Gbit(8，858，370，048位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×4096块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字节×6[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58BYG3S0HBAI4

TH58BYG3S0HBAI4是一个1.8V 8Gbit(8，858，370，048位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×4096块。该设备具有一个4224字节的静态寄存器，它允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：422[详细]

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