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美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年5月7日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Si[详细]
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年4月18日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用超小型MiniLED封装的新型蓝色和纯绿色表面贴装LED---VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08。Vishay Semiconductors VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08外形尺寸为2.2 mm[详细]
全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。Qorvo SiC 电源产品线[详细]
UWB全称为Ultra Wide Band（超宽带），主要利用飞行时间（ToF）来实现精准测量，是一种非常具有发展前景的短距离无线通信技术。搭载量有望超百万辆，UWB在汽车领域正加速渗透从20世纪60年代开始，UWB技术利用频谱极宽的超宽基带脉冲进行通信，主要用于军事的雷达、定位和低截获率/低侦测率的通信系统中。在2002[详细]
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出多功能新型30V n沟道TrenchFET 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-F封装[详细]
全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新引脚兼容 SiC FET 系列的首款产品，导通电阻值最高可达 60mΩ，非常适合[详细]
全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全[详细]
代表着下一代电源系统未来的，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧，为业界首个采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。针对不适合[详细]
IT之家 9 月 19 日消息，据英特尔官网新闻稿报道，英特尔日前推出了用于下一代先进封装的玻璃基板，英特尔公司高级副总裁兼装配与测试开发总经理 Babak Sabi 表示，“这项创新历经十多年的研究才得以完善。”Hamid Azimi,corporate vice president and director of substra[详细]
在电子设备中，芯片是关键组成部分，而芯片的封装对于其性能和可靠性有着至关重要的作用。颖特新将详细介绍七种常见的芯片封装类型：DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、LGA和PGA，包括其定义、特点、优势和适用领域。一、DIP（双列直插封装）DIP是一种双列直插式封装技术，其特点在于芯片两侧有两个并排的引脚。这种封装[详细]
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