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n沟道mos场效应管（NMOS）是一种重要的半导体器件，在现代电子技术中得到广泛应用。NMOS的导电主要依靠电子，在学习和理解该器件的工作原理和应用时，理解NMOS主要依靠电子导电的原理至关重要。NMOS的结构和工作原理NMOS由P型衬底上的N型沟道、P型掺杂的漏极和源极组成，其基本工作原理是通过在沟道和衬底上加上[详细]
双栅MOS场效应管（Double-gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称DG-MOSFET）是一种拥有两个栅极的MOSFET器件。它结构上的改进使其具有独特的工作原理和特点。工作原理：双栅MOS场效应管的工作原理类似于传统单栅MOSFET，但其拥有两个栅极（前栅极和后栅极），使其具有更好的电流控制能[详细]
今年11月，我国汽车出口保持增长势头，新能源汽车续创历史新高。12月9日，中汽协发布11月我国汽车工业产销情况简述。数据显示，11月，汽车产销分别达到238.6万辆和232.8万辆，环比分别下降8.2%和7.1%，同比均下降7.9%。与去年和前年相比，汽车产销略显疲态，并未出现往年的年底翘尾现象。1-11月，汽车产销分别完[详细]
WILLSEMI 韦尔半导体（上海韦尔半导体有限公司） 公司简介：上海韦尔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件设计和销售公司，公司成立于2007年5月，总部坐落于有“中国硅谷”之称的上海张江高科技园区，在深圳、台湾、香港等地设立办事处。韦尔半导体将为数字世界提供开关器件、信号放大器[详细]
芯唐科技收购日本松下后推出了CPS封装MOSFET，主要产品优势1.更久电池续航以及优质快充性能 低抗阻; 1.1 mΩ2.设计自由度高 超小尺寸封装; 0.6 x 0.6 mm3.防止锂电池深度放电 低漏电; IGSS = 0.1 uA4.高安全性 低故障率; 0 PPM (依据 Nuvoton 数据) &nbs[详细]
什么是双栅场效应管 原理及检测方法详解与作用是什么 什么是双栅场效应管 双栅场效应管有一个源极、一个漏极和两个栅极，在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，其中两个栅极是互相独立的，使得它可以用来作高频放大器、混频器、解调器及增益控制放大器等。 [详细]
7n80场效应管参数规格书 封装详情 技术支持 免费送样 7n80场效应管参数-型号概述 7n80场效应管参数型号概述，此功率MOSFET生产是使用SL先进的平面条纹DMOS技术，这个先进的技术是特别定制的，以减少通态电阻，提供优越的开关性能，在雪崩和转换方式下能承受高能脉冲器件，它非常适合高效率开关模式电[详细]
场效应管的优点-场效应管与双极型晶体管、三极管比较各有何优缺点 场效应管 场效应管的优点详解，场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单场极型晶体管。场效应管种类 场效应管分为两种类别：结型场效应管（J[详细]
mosfet的阈值电压及电压输出特点解析阈值电压 mosfet的阈值电压详解，什么是阈值电压？阈值电压 (Threshold voltage):通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电[详细]
250V MOS管选型-250V MOS管参数、封装、价格等详情 原厂直销250V MOS管特性-KNX3725A 专利新平面技术 RDS(ON),typ.=45mΩ@VGS=10V 低栅电荷使开关损耗最小化250V MOS管参数详情-KNX3725A 250V MOS管封装图-KNX3725A 250V MOS管原厂介绍 深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管[详细]
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