FLASH闪存_颖特新科技

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2023-06nand FLASH闪存芯片：华邦W25N04KW

W25N04KWfacebooktwitterlinkedIn4Gb Serial NAND Flash Memory with uniform 2KB+128B page size and set Buffer Read Mode as defaultDensity4GbIndustrial StatusMass ProductionVcc1.7V - 1.95VFrequency104MHzPackageWSON8 6x8, TFBGA24 6x8Temperature Range-40℃ ~ 85℃ / -40℃ ~ 105℃Feature ListPag[详细]

2023-06nand FLASH闪存芯片：华邦W25N01GV

W25N01GVfacebooktwitterlinkedIn1Gb Serial NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size and set Buffer Read Mode as defaultDensity1GbIndustrial StatusMass ProductionVcc2.7V - 3.6VFrequency104MHzPackageWSON8 6x8, TFBGA24 6x8Temperature Range-40℃ ~ 85℃ / -40℃ ~ 105℃ / -40℃ ~ 115℃F[详细]

2023-06nor FLASH闪存存储芯片：华邦W25Q01NW_DTR

W25Q01NW_DTRfacebooktwitterlinkedIn1G-bit Serial Flash Memory with uniform 4KB sectors and Dual/Quad SPIDensity1GbIndustrial StatusMass ProductionVcc1.7V - 1.95VFrequency133MHzPackageSOIC16 300mil, WSON8 8X6mm, TFBGA24 6X8mm (5x5 Matrix)Temperature Range-40℃ ~ 85℃Feature ListSingle / D[详细]

2019-09FLASH闪存和SSD固态硬盘的区别

什么是固态硬盘固态驱动器（Solid State Disk或Solid State Drive，简称SSD），俗称固态硬盘，固态硬盘是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，是由FLASH闪存作为基础存储介质的存储设备，SSD由控制单元和存储单元（FLASH芯片、DRAM芯片）组成。被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电[详细]

2019-08FLASH闪存NOR和NAND的区别

FLASH闪存目前有两种类型分别是NOR和NAND，1988年inter首先开发出NOR flash技术，紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。现在就来讲讲二者的主要区别吧。一.存储区别NOR的特点是芯片内执行，这样应用程序可以接在flash闪存内运[详细]

2015-04NAND FLASH闪存中SLC、MLC与TLC的比较

SLC与MLC属于两种不同类型的NAND FLASH存储器，广泛被用于手机、固态硬盘上。SLC全称Single-Level Cell ，即单层单元闪存。SLC存储1bit/cell，具有速度快寿命长的优点，但是容量做得不高。MLC全称Multi-Level Cell，即多层单元闪存。MLC存储2bit/cell，它速度一般寿命也一般，但是在同等体积下可以做得比SLC更高[详细]

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