你好！欢迎来到深圳市颖特新科技有限公司！
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年5月7日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Si[详细]
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出全新 “MCU Motor Studio Ver.3.0”和“电机参数调整工具”，使得电机控制功能得到改善。全新版本的电机控制软件开发套件“MCU Motor Studio Ver.3.0”新增位置估算控制技术，用于磁场定向控制（FOC），与此同时，“Motor Tuning Studio Ver.1.0[详细]
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），该系列适用于包括数据中心和光伏功率调节器等应用的开关电源。首批采用TO-247封装的两款650 V N沟道功率MOSFET产品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日开始支持[详细]
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出多功能新型30V n沟道TrenchFET 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-F封装[详细]
致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1681和NCP4390芯片以及SiC MOSFET的3KW高密度电源方案。 &[详细]
SiC 具有大禁带宽度、高击穿电场强度、高饱和漂移速度等优良特性，目前已经成为半导体领域最火热、最具前景的材料之一。最近，芯八哥“走进产业链”栏目记者采访了国内碳化硅IDM的新锐企业杰平方半导体副总经理黄宏留，探讨在碳化硅爆发式发展的大背景下，杰平方半导体实现快速增长的突破之道。专注高壁垒市场，[详细]
致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飞凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW高功率密度双向相移全桥方案。图示1-大联大品佳基于Infineon产品的3.3KW高功率密度双向相移全桥方案的展示板图当前，全球对于可再生能源的关注度日益提高，[详细]
最新消息，东芝公司表示，将于11月22日召开临时股东大会，批准其股票合并，该公司将于12 月20日从东京证券交易所退市！据此前消息，9月21日，日本东芝公司宣布，以日本国内基金“日本产业合作伙伴”（JIP）为主的财团，已完成对东芝的要约收购，为东芝私有化退市扫清障碍。交易完成后，上市了74年的东芝最快将于[详细]
瑶芯微电子产品着重于链接真实与数字世界间的传感、转化和驱动的过程，我们致力于提供更多、更广泛的产品选择。主要有三大产品线【功率器件，传感器，混合信号和模拟芯片】，包含多个关键产品领域。公司总部坐落于上海浦东张江，在西安和成都有研发分部，深圳有分公司，公司核心团队来自国内外超过 15 年的半导[详细]
1200V 30mohm Silicon Carbide Power MOSFET AKCK2M032WAMH特点：高速切换性能•低电容•具有低反向的快速本征二极管恢复•无卤素，符合RoHS（注1）应用程序•电动汽车电机驱动•DC/DC转换器•开关模式电源•太阳能逆变器•OBCAKCK2M032WAMH DATASHEET电气特性图（注4[详细]
扫码关注我们
0755-82591179
传真：0755-82591176
邮箱：vicky@yingtexin.net
地址：深圳市龙华区民治街道民治大道973万众润丰创业园A栋2楼A08
Copyright © 2014-2023 颖特新科技有限公司 All Rights Reserved. 粤ICP备14043402号-4
