华邦虚拟静态随机存取内存(Pseudo SRAM)

华邦PSRAM（虚拟静态随机存取记忆体）是由一个DRAM主体核心与传统SRAM介面所组成。晶片上的刷新电路，可省略使用者需要记忆体刷新的考量。相对于传统的CMOS SRAM，PSRAM具有更高容量，高速度，更小的晶片尺寸，以及与DRAM相容的优势。

pSRAM在智能手机领域目前已被LPDDR4X代替，但新的物联网时代给予了pSRAM的新的生命体，特别是在语音交互领域，PSRAM以它较小的封装，大容量，成本低的优势占领先锋。

PSRAM在小型化过程种，现在已经有串行化：

1. SPI PSRAM: 8-pin SOP封装，最高速率可以达到104MHz, 具有片选CS、CLK、SI、SO 4个信号脚。

2. QPI PSRAM: 8-pin SOP封装，最高速率104MHz, 有额外的3个双向数据管脚，由此带宽峰值可以达到416Mbps。

3. OPI PSRAM: 24 脚封装，有8个串行数据线，最高时钟频率达到133MHz，最高带宽可以达到133x8 x2=2.128Gbps。这里x2是因为它可以实现DDR，以提高数据带宽。

Pseudo SRAM

(2017-08-19)W956D6KBK 1.8V / 1.8V 133MHz / 70ns -40~85c 4Mbit x16
(2015-03-31)W956K6HBC 1.8V / 1.8V 133MHz / 70ns -40~85c 2Mbit x16
(2015-03-31)W966K6HBG 1.8V / 1.8V 133MHz / 70ns -40~85c 2Mbit x16
(2015-03-31)W956D6HBC 1.8V / 1.8V 133MHz / 70ns -40~85c 4Mbit x16
(2015-03-31)W966D6HBG 1.8V / 1.8V 133MHz / 70ns -40~85c 4Mbit x16
(2015-03-31)W957D6HBC 1.8V / 1.8V 133MHz / 70ns -40~85c 8Mbit x16
(2015-03-31)W967D6HBG 1.8V / 1.8V 133MHz / 70ns -40~85c 8Mbit x16
(2015-03-31)W958D6DBC 1.8V / 1.8V 133MHz / 70ns -40~85c 16Mbit x16
(2015-03-31)W968D6DAG 1.8V / 1.8V 133MHz / 70ns -40~85c 16Mbit x16

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