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2020-06SK HYNIX NAND FLASH Memory—E3NAND

关键字： E3NAND [详细]

2020-04GD25VQ127C SPI Nor FLASH

GD25VQ127CSIG 128Mbit SOP8 208mil GD25VQ127CSIS GD25VQ127CVIG 128Mbit VSOP8 208mil GD25VQ127CVIS GD25VQ127CPIG 128Mbit DIP8 300mil GD25VQ127CPIS GD25VQ127CFIG 128Mbit SOP16 300mil GD25VQ127CF IS GD25VQ127CFIR GD25VQ127CWIG 128Mbi[详细]

2019-09DDR协议解析

DRAM内部分割成多个L-Bank，每个L-Bank形状相同，彼此独立，可以独立工作。早期的DRAM芯片内部分为2个L-Bank，后来是4个，DDR3内存芯片为8个。在进行寻址时需要先确定是哪个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。对内存的访问，一次只能是一个L-Bank，而每次与CPU交换的数据就是 L-Ban[详细]

2019-093D Xpoint技术与NAND FLASH、DRAM的比较

1.NAND颗粒：浮栅极物理结构单元，通过电压驱动电子，由电压值来判定bit位0或1。分为SLC、MLC、TLC三种flash颗粒，擦除次数分别为1万-10万、1千-1万、几百-1千次。寿命是NAND Flash的最大问题，其次是由于特殊的结构，擦除时延较大，在大量写的时候由于垃圾回收机制导致较大时延，但由于HDD的存在，NAND Flash在[详细]

2019-09NAND FLASH的结构和特性

NAND FLASH的结构原理图见图1，可见每个Bit Line下的基本存储单元是串联的，NAND读取数据的单位是Page，当需要读取某个Page时，FLASH 控制器就不在这个Page的Word Line施加电压，而对其他所有Page的Word Line施加电压（电压值不能改变FloatingGate中电荷数量），让这些Page的所有基本存储单元的D和S导通，而我们[详细]

2019-09NOR FLASH的结构和特性

NOR FLASH的结构原理图图1，可见每个Bit Line下的基本存储单元是并联的，当某个Word Line被选中后，就可以实现对该Word的读取，也就是可以实现位读取（即Random Ａccess），且具有较高的读取速率，图2是一个3*8bit的NOR FLASH的原理结构图，图3是沿Bit Line切面的剖面图，展示了NOR FLASH的硅切面示意图，这种并[详细]

2019-09关于FLASH寿命的读写方法

NOR(或非)和NAND(与非)是市场上两种主要的Flash闪存，sNORFLASH 和CPU之间不需要其他电路控制，NOR flash可以芯片内执行程序，而NAND FLASH 和CPU 的接口必须由相应的控制电路进行转换， NAND FLASH 以块的方式进行访问，不支持芯片内执行。 NAND FLASH 比NOR FLASH 容量大，价格低， NAND flash中每个块的[详细]

2019-09Nand FLASH的擦写次数与使用寿命

Nand Flash因为其电气特性，读和写是按页来读取的，而擦除是按照块来擦除的，了解这些，我们就比较容易去理解Nand Flash的擦写次数与使用寿命。通常，一个对NAND的写操作包括如下步骤:1) 从NAND中读取一个页面，内容放入NANDflash的寄存器中。2) 更新寄存器中的内容3) 找一个空白页4)[详细]

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