你好！欢迎来到深圳市颖特新科技有限公司！
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年4月18日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用超小型MiniLED封装的新型蓝色和纯绿色表面贴装LED---VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08。Vishay Semiconductors VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08外形尺寸为2.2 mm[详细]
全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。Qorvo SiC 电源产品线[详细]
全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新引脚兼容 SiC FET 系列的首款产品，导通电阻值最高可达 60mΩ，非常适合[详细]
全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全[详细]
代表着下一代电源系统未来的，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧，为业界首个采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。针对不适合[详细]
IT之家 9 月 19 日消息，据英特尔官网新闻稿报道，英特尔日前推出了用于下一代先进封装的玻璃基板，英特尔公司高级副总裁兼装配与测试开发总经理 Babak Sabi 表示，“这项创新历经十多年的研究才得以完善。”Hamid Azimi,corporate vice president and director of substra[详细]
在电子设备中，芯片是关键组成部分，而芯片的封装对于其性能和可靠性有着至关重要的作用。颖特新将详细介绍七种常见的芯片封装类型：DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、LGA和PGA，包括其定义、特点、优势和适用领域。一、DIP（双列直插封装）DIP是一种双列直插式封装技术，其特点在于芯片两侧有两个并排的引脚。这种封装[详细]
松下作为一家世界知名的电子元器件制造商，其贴片电阻产品以其高品质和可靠性而广受认可。了解松下贴片电阻的封装命名规则对于正确选择和使用这些电阻至关重要。在下文中，颖特新将详细介绍松下贴片电阻封装命名规则。1.基本命名规则： 松下贴片电阻的封装命名规则通常由三个部分组成，分别是封装类型、尺寸代码[详细]
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。自动驾驶系统等高安全级别的应用可通过冗余设计确保可靠性，因此与标[详细]
概述：AAP6010A是一个宽输入电压，高效率的电流模式同步降压转换器，实现了出色的负载和线路调节。该AAP6010A工作在任何恒定输出电流(CC)模式或恒定输出电压(CV)模式。CC电流值由外部检测电阻器设置。AAP610A提供高达35A的输出电流在125kHz的开关频率。AAP6010A是在绿色SOIC-8封装。它的额定温度范围在-40摄氏度[详细]
扫码关注我们
0755-82591179
传真：0755-82591176
邮箱：vicky@yingtexin.net
地址：深圳市龙华区民治街道民治大道973万众润丰创业园A栋2楼A08
Copyright © 2014-2023 颖特新科技有限公司 All Rights Reserved. 粤ICP备14043402号-4
