日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，强化其采用标准0402～1206外形尺寸的MC AT专业和精密系列车用薄膜片式电阻。Vishay Beyschlag器件是为了在汽车和工业应用等恶劣环境下提供稳定的性能而设计，具有低至±10ppm/K的TCR和1Ω～1MΩ的阻值。 增强型MC AT
2012 年 12 月20 日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出2010外形尺寸的新款表面贴装Power Metal Strip?电阻---WSLP2010。该电阻具有2W的高功率等级和0.001Ω的极低阻值，以及0.5%的稳定电阻容差。 WSLP2010电阻采用先进的结构，这种结构使用了具有低TCR (&
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻 MOSFET。该最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶体管采用超小型封装，支持不足 100 毫欧的导通电阻. 三个 N 通道及三个 P 通道 FemtoFET MOSFET 均采用平面栅格阵列 (LGA)
电阻与二极体(Diode)将朝更微型化推进。随着行动与穿戴式装置配备的功能更趋多元，其搭载的电阻、齐纳(Zener)二极体及萧特基(Schottky)二极体等离散式(Discrete)元件体积亦被要求朝更小尺寸演进，也因此，罗姆(ROHM)已透过全新制程技术，打造超微型电阻与二极体，满足品
日前，Vishay宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET? P沟道Gen III功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET可提高便携式计算和工业控制设备中的电源效率，是-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低导通电阻的-12V和-2
??日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出高稳定性薄膜片式电阻的实验室样品套件---TNPW0402 e3 (LTW0402 e3 96/4)和TNPW0603 e3 (LTW0603 e3 96/4)，它们可帮助工程师开发原型，加快电子系统的上市时间。 ??今天发布的样品套件分别提供了采用TNPW0402
日前，Vishay宣布，推出新款5W轴向使用硅水泥的可熔断绕线安全电阻---AC05..CS。这颗电阻是业内首个能在过载条件下安全且无声地熔断的电阻，能够承受6kV的浪涌电压(1.2μs/50μs)。Vishay Draloric AC05..CS采用特殊的不易燃硅水泥涂层，在100W过载下的熔断时间小于4
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其0805外形尺寸的PATT精密车用薄膜片式电阻现已对外供货。PATT的工作温度范围比传统的片式电阻多85℃，可在+155℃和100%功率耗散的条件下工作，在+250℃下线性降额至0mW。器件通过AEC-Q200认证，绝对TCR低至±25ppm/℃，经过激光微调的公差可以低至±0.1%。今天发布
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布用于高功率表面贴装射频应用的新系列厚膜片式电阻---RCP系列。Vishay Dale RCP系列器件具有1206小外形尺寸，在+70℃和标准印制板贴装情况下的功率等级为1W，采用主动式温度控制后，功率等级可达11W。 RCP系列电阻适
??日本知名半导体制造商ROHM开发出适合于车载和工业设备等需要大功率的整机电流检测用途的、实现大功率与超低阻值的分流电阻器“PSR系列”。PSR400保证的额定功率为4W，PSR500保证的额定功率为5W，使功率电阻器的产品阵容又新增了PSR系列产品。 ??电流检测用途的电
