星电子的3DNAND Flash霸主宝座出现危机？三星是第一家开发出3DNAND Flash业者，技术遥遥领先，不过据传日厂东芝（Toshiba）砸重金研发后，情势一夕骤变，东芝即将超车三星，成为首家生产64层3D NAND Flash的厂商。 BusinessKorea 20日报导，2013年三星电子率先制
欧洲半导体设备业龙头艾司摩尔（ASMLHolding NV）最新公布的第二季净利击败分析师预估，显示最新的半导体设备已开始送至客户手中。 ASML 20日发布新闻稿公布的第二季财报显示，净利年减4.3%至3.54亿欧元（相当于3.899亿美元），但仍高于路透社调查的分析师预
Thomson Reuters、时事通信社报导，东芝（Toshiba）统筹内存事业的副社长成毛康雄于6日举行的投资人说明会上表示，将冲刺NAND型快闪内存（Flash Memory）产量，目标在2018年度将NAND Flash产量扩增至2015年度的3倍水准（以容量换算）。 关于已在2016年度开始量
全球第二大储存型快闪内存东芝（Toshiba）与美国合作伙伴Western Digital（WD），拟大幅增加投资快闪内存，希望藉扩产力抗韩国共同强敌三星。 WD于5月完成购并SanDisk后，一并承接SanDisk与东芝在日本四日市合资设立的内存工厂。据日经新闻报导，WD与东芝未来
中国扩张半导体产业，被视为重点项目的内存可能再出现新局，统筹中国内存产业发展的武汉新芯将与紫光集团携手合作，且现在不只获飞索半导体（Spansion）在3D NAND Flash的技术授权，还可能得到大腕美光（Micron）的协助。 双方各有强项，整合出内存中国国家队
动态随机存取内存（DRAM）市况趋于稳定，让三星、SK海力士等韩国两大内存大厂本季获利预期跟着好转。自从2014年底以来，DRAM报价已连续19个月下滑。 韩联社报导，据市调机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange报价数据，以及产业消息指出，DDR512×8现货报价6月6日已止跌回扬。由于现货价格会影响合约
TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新报价显示，第三季NAND Flash供货吃紧的态势越发明显，TLC-Wafer与现货卡片价格自4月初以来已连续3个月份逐步走扬，而近一个月涨幅开始增加。 DRAMeXchange研究协理杨文得表示，NAND Flash原厂持续降低对于管道（
华邦电子以DRAM产品事业群、闪存IC事业群及记忆IC制造事业群三大事业群为核心，不断追求产品与技术的创新，以落实竞争优势。DRAM产品方面，以所擅长的高速度和低功率内存核心设计技术，推出包含Specialty DRAM、以及Pseudo SRAM 和Low Power SDRAM之Mobile RAM系列产品，可广泛应用在消费性(Consumer)、通讯(Co
日经新闻3日报导，全球第2大NAND型快闪内存（Flash Memory）厂商东芝（Toshiba）将在2017年度采用被称为“纳米压印（Nano-imprint Lithography，NIL）”的新技术，生产使用于智能手机等产品的NAND Flash，藉此可让曝光工程（形成回路的工程）成本压低至采用现行技术的三
全球市场研究机构TrendForce及科技新报TechNews在31日于台北国际会议中心4楼贵宾室举办移动设备关键零部件与通讯技术研讨会。本次研讨会演讲嘉宾包含全球领先快闪内存储存解决方案厂商闪迪（SanDisk），以及高通、恩智浦等国际大厂。DRAMeXchange研究协理杨文得也和与会者深度解析2016下半年NAND Flash市场发
