据市调机构IHS预测，今年全球半导体出货金额将较2015年的3,473亿美元缩水2.9%，其中DRAM预估将衰退9%，主要原因是DRAM报价下滑以及PC市场萎缩，拖累整体芯片需求。 IHS指出，内存今年前三季都将以一成左右的速度衰退，依序是第一季年减11.3%、第二季年减11.7%
苹果新机下半年上市，也已开始针对Nand Flash、mobile RAM进行备货，推升需求提升，再加上供给已获得控制，内存模组厂商包括威刚、创见、宇瞻、广颖等可望迎内存产业环境好转，其中Nand Flash下半年更可望有缺货潮，推升价格可望有反弹空间。 以Nand Flash来看，苹果下半年将发布的iPhone 7，目前已开始备料
近年因移动设备和物联网快速成长，如何处理庞大资料也成了背后关键技术。IBM研发出比快闪内存更快、比DRAM更可靠的光学储存科技，有望成为新一代的资料处理科技，电脑、手机、物联网和云端人工智能产业皆可受惠。 ▲IBM研发储存技术有新突破。（S
先前外资痛批三星电子不顾同行道义，在内存业赶尽杀绝。如今背后原因似乎揭晓，韩媒指出，今年第一季三星电子和SK海力士（SK Hynix）的半导体库存双双创下新高，满坑满谷的内存卖不动，三星或许因此杀红了眼。 BusinessKorea 18日报导，今年Q1季末，三星电子的
第一季全球NAND Flash市况持续受供过于求影响，渠道颗粒合约价下滑约10%；智能手机、平板电脑与笔记本电脑出货大幅衰退也让eMMC、用户级固态硬盘跌价幅度扩大至13~18%。TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，在平均销售单价下滑幅度明显高于位出货量成长的情况下，第一季NAND Flash品牌商营
根据市调机构集邦科技、IDC的估计，今年（2016年）第二季全球DRAM的位出货量成长率预料会达到3-4%。然而，几家DRAM大厂却都一致预期，Q2位出货量会有双位数的成长率。分析人士认为，这显意味着DRAM大厂打算去化库存，而芯片价格也将因供给增加面临压力。 Business Korea 11日报导，三星电子预估的Q2 DRAM位出
中国大陆业者在NAND Flash产业链的相关布局与投资不断开展，成为大陆半导体业挥军全球的下一波焦点。有调研机构报告显示，随着紫光国芯（原同方国芯）投资、武汉新芯扩厂，及国际厂如三星、英特尔增加产能，预估2020年中国国内Flash月产能达59万片，相较于2015年成长近7
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华邦(Winbond)电子近段时间宣布推出与ARM平台安全架构密切结合的安全闪存，大幅扩展华邦TrustME安全闪存的产品组合延伸。Arm物联网IP装置副总裁兼总经理PaulWilliamson表示，物联网技术对我们的生活带来潜在的改变和影响，使得安全已是必要条件。我们正在迅速部署连接装置以真正实现这些技术所带来的益处。ARM与
