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东芝（Toshiba）8日发布新闻稿宣布，为了增产3DFlash Memory，将在四日市工厂内兴建新厂房“第6厂房（Fab 6）”。东芝指出，该座新厂房将做为3DFlash专用厂房，将分2期工程兴建，其中第1期工程将在2017年2月动工、并预计于2018年夏天完工。 东芝指出，关于上述新厂房具体的设备导入、开始生产时[详细]
随着当前智能手机、SSD等产品的市场需求强烈，包括闪存、内存等储存芯片需求大量成长，近期价格也摆脱低潮，持续上涨，这样的机会点也给了中国相关企业介入储存芯片市场的发展契机。根据外电的报导，在这波储存芯片的热潮下，中国本身也将在2017年推出32层堆叠的3D NAND闪存。虽然，这样的技术相较韩国三星[详细]
日经新闻27日报导，日本半导体（芯片）设备商订单明显回复，2016年度上半年期间（2016年4至9月）东京威力科创等日本7大设备商合计订单额达约7,300亿日元，较2015年度下半年（2015年10月至2016年3月）增加约4%，且订单额创下9年半来（2006年度下半年以来）新高纪录。 设备订单一般反映在3至6个月后[详细]
2017年适逢苹果（Apple）iPhone问世第10周年，因此盛传预计今年（2016年）秋天开卖的iPhone 7恐仅有小改版，大改版iPhone要等到明年才看得到，也让iPhone 7还没真正问世，2017年版iPhone却已有众多传闻流出。而最新传出，2017年苹果除了将推出2款iPhone 8系列机种之外，还会推出一款入门款iPhone 7 SE。[详细]
内存的3DNAND Flash大战即将开打！目前3DNAND由三星电子独家量产，但是先有东芝（Toshiba）杀入敌营，如今美光（Micron）也宣布研发出3D NAND芯片，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下句点。 TechRadar、ComputerWorld报导，美光9日宣布开发出该公司第一款3D NAND芯片，采48层堆叠，容量为[详细]
韩国三星电子为全球第一家量产3D架构NAND型快闪记忆体(FlashMemory)的厂商，不过其NAND Flash最大竞争对手东芝(Toshiba)追赶速度惊人，宣布已领先全球同业、研发出堆叠64层的3D Flash产品，且开始进行送样。 东芝27日发布新闻稿宣布，已研发出堆叠64层的3D Flash制程技术，并自今日起领先全球同业[详细]
SSD等应用提升下，Nand Flash需求正快速成长，各家内存厂无不积极扩产，以扩展自身在NAND Flash的市占，半导体巨擘英特尔在2015年10月同样看好NAND Flash发展，宣布与大连市政府合作，将原本生产处理器芯片的厂房转型生产3D-NAND Flash芯片，而现在厂房改置完毕，在25日正式宣告投产。 据中国官方[详细]
全球第二大储存型快闪内存东芝（Toshiba）与美国合作伙伴Western Digital（WD），拟大幅增加投资快闪内存，希望藉扩产力抗韩国共同强敌三星。 WD于5月完成购并SanDisk后，一并承接SanDisk与东芝在日本四日市合资设立的内存工厂。据日经新闻报导，WD与东芝未来[详细]
韩国经济日报（KoreaEconomic Daily）15日报导，三星电子（SamsungElectronics Co.）打算在2017年底前扩充3D NAND型快闪内存产能，总共要斥资25兆韩元，主要扩产的是位于中国西安的厂房，预定今年稍晚会于该厂新设一条3DNAND生产线，另外还将在韩国平泽市的厂房投入资本。虽然根据韩国时报报导，三星电子已在[详细]
全球市场研究机构TrendForce及科技新报TechNews在31日于台北国际会议中心4楼贵宾室举办移动设备关键零部件与通讯技术研讨会。本次研讨会演讲嘉宾包含全球领先快闪内存储存解决方案厂商闪迪（SanDisk），以及高通、恩智浦等国际大厂。DRAMeXchange研究协理杨文得也和与会者深度解析2016下半年NAND Flash市场发[详细]
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