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关键字： Sk Hynix eMMC常用型号eMMC5.0版本MLC系列Sk Hynix eMMC常用型号（三）—— eMMC5.0版本MLC系列PRODUCTDENSITYNAND FlashVERSIONSIZEtempH26M52103FMR16GBMLCEMMC5.011[详细]
据韩媒报道，SK海力士公司内部人士透露，该公司已开始研发第四代10纳米级DRAM，内部代号为“南极星”(Canopus)，预计将在制程中导入EUV光刻技术。目前，SK海力士最先进的DRAM产品主要围绕1Y纳米、1Z纳米制造工艺，该公司计划在2020年下半年将这两种工艺比重提高到40%。此外，SK海力士将继续推进DRAM的制造技术。[详细]
SDR：Single Data Rate, 单倍速率DDR：Dual Data Rate， 双倍速率QDR：Quad Data Rate， 四倍速率DRAM：Dynamic RAM， 动态随机存储器， 每隔一段时间就要刷新一次数据才能够保存数据SRAM：Static RAM， 静态随机存储器， 静态随机存储器，不需要刷新电路，数据不会丢失SDRAM: Synchronous DRAM， 同步状态随机[详细]
1.NAND颗粒：浮栅极物理结构单元，通过电压驱动电子，由电压值来判定bit位0或1。分为SLC、MLC、TLC三种flash颗粒，擦除次数分别为1万-10万、1千-1万、几百-1千次。寿命是NAND Flash的最大问题，其次是由于特殊的结构，擦除时延较大，在大量写的时候由于垃圾回收机制导致较大时延，但由于HDD的存在，NAND Flash在[详细]
颖特新科技讯，美光科技首席执行官Sanjay Mehrotra最近访问了中国，三星电子和SK海力士都感到不安。因为中国半导体公司与世界三大存储芯片制造商之一的美光科技之间的密切关系可能对韩国公司产生不利影响，尽管它们之间没有立即合作。据《Business Korea》报道，美光科技在中国拥有大量客户，可能会在新投资或与[详细]
业界领先的芯片制造商美光科技(MU)最近开始大规模生产16Gb的DDR4产品，使用1z纳米(纳米)工艺技术。因此，美光成为第一家使用最小DRAM节点来扩展DRAM功能的内存芯片公司。使用1z nm节点生产16Gb DDR4产品将消耗更少的电能。值得注意的是，与之前的基于8Gb DDR4的产品相比，DDR4产品将减少40%的功耗。较小的1z nm[详细]
美光半导体在本周早些时候与投资者和金融分析师召开的业绩电话会议上，表达了对其长期前景的信心，并表示随着未来几年各领域新应用的涌现，对其产品的需求强劲。该公司还概述了扩大产能和迅速转向更先进工艺技术的计划。美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示:“我们相信，受人工智能、自动驾驶汽车、5G和物联网等[详细]
韩国三星半导体DDR4同步动态随机存储器，速度超快、可靠性高、能耗低。三星DDR4系列高性能存储器可为更快速、更强大的解决方案提供支持，凭借更宽的带宽、更高的可靠性和更低的能耗，三星 DDR4 为客户产品带来出色体验，目前此系列已量产了50多个型号。[详细]
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