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2024-02安森美推出第七代IGBT智能功率模块, 助力降低供暖和制冷能耗

智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块 (IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比, SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高,因而总体系统成本更低。由于这些IPM集成了[详细]


2023-10SIC模块与IGBT模块的区别 SIC模块与IGBT模块的应用差别

SIC模块(Silicon Carbide Module)和IGBT模块(Insulated Gate Bipolar Transistor Module)是两种不同的功率半导体模块,它们在材料、特性和应用方面有一些区别。1. 材料:SIC模块采用碳化硅(SiC)作为半导体材料,而IGBT模块则采用硅(Si)作为半导体材料。碳化硅具有较高的热导率和较高的电场饱和漂移速度[详细]


2023-09瑶芯微授权代理——颖特新

深圳市颖特新与瑶芯微电子科技(上海)有限公司联手合作,颖特新代理瑶芯微主要致力于功率器件、智能传感器和信号链IC的设计、研发和销售,主营产品为功率器件(中低压Trench MOS以及SGT MOS,高压SJ超结MOS,IGBT,FRD,SiC MOS和SiC 二极管)和MEMS传感器以及信号链IC。主要应用领域为: 消费类和工业类以及车[详细]


2023-09国外汽车电动化,功率半导体行业赚的盆满钵满!

2023年,对于新能源汽车市场而言,依然延续了2022年以来的增长趋势。根据Clean Technica的数据,2023年H1全球汽车销量达到4243万台,同比增长11%。其中新能源汽车销量达583.2万辆,同比大幅增长40.2%,市场渗透率达到15%。据其预测,2023年整年全球新能源汽车销量将达到1380万辆,同比增幅在30%左右。新能源汽车[详细]


2023-09未来能量革命: 功率半导体引领着卷土重来

一些常见的功率半导体包括:    1.功率二极管(Power Diode):用于整流和保护电路。    2. 功率MOSFET(Power MOSFET):用于开关和放大电路。    3. 功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):结合了MOSFET和双极型晶体管的特点,用于高压和高电流应用。  &n[详细]


2023-08每套最高卖100万元!火爆的IGBT充电集

在全球碳达峰、碳中和的背景下,近年来新能源汽车行业快速增长,并且带动了充电桩等众多配套设施的发展。最近,芯八哥“走进产业链”栏目记者采访了国内领先的IGBT充电集企业安和威董事常务副总黄大强,探讨在充电桩配套行业景气度高企的背景下,当前安和威企业的发展情况以及对行业未来发展的展望。单套充电集[详细]


2023-08功率模块里面ibgt单管、IGBT模块、ipm模块、SiC模块有什么区别

功率模块是一种集成了功率半导体器件和驱动电路的模块化电子元件,广泛应用于电力电子领域。在功率模块中,常见的器件包括IBGT单管、IGBT模块、IPM模块和SiC模块。下面将对它们的区别进行详细介绍。1.IBGT单管(Insulated Gate Bipolar Transistor): IBGT单管是一种功率半导体器件,结合了MOSFET和双极晶体管[详细]


2023-08IGBT和mos管的区别是什么 IGBT和mos管的优缺点介绍

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)和MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是两种常见的功率半导体器件,用于电力电子应用。它们在结构、工作原理和性能方面有一些区别,下面是它们的主要区别:1.结构:IGBT是一种双极型晶体管,由PNP型双极晶体管和N型MOSFET组成。而MOSFET是[详细]


2023-08碳中和的背景下、IGBT充电集市场火爆

在全球碳达峰、碳中和的背景下,近年来新能源汽车行业快速增长,并且带动了充电桩等众多配套设施的发展。单套充电集产品卖50-100万!已打入国网、南网等核心客户的供应链体系据了解,安和威成立于1998年,是全球领先的能源交换网络解决方案提供商。公司专注于数字能源领域,在智慧园区、智能电网、充电桩配套设[详细]


2023-07IGBT模块发展前景及竞争格局分析

IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的器件,主要用于实现电压、频率、直流交流转换等功能,被称为电力电子装置的“CPU”。但IGBT相比于 MOSFET 制造难度更高、结构更复杂,可承受的电压也更大。一般 MOSFET 器件或模组的可承受20-800V,而 IGBT 可承受100[详细]


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