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基于MasterGaN平台的创新优势，意法半导体推出了MasterGaN2，作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品，是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。两个650V常关型GaN晶体管的导通电阻 (RDS(on))分别是150mΩ和225mΩ，每个晶体管都集成一个优化的栅极驱动器，使GaN晶体管像普通硅器件一样[详细]
意法半导体为AMOLED 显示器新开发的高集成度电源管理芯片 (PMIC)兼备低静态电流和高灵活性，可延长便携式设备的电池续航时间。STMP30PMIC的输入电压范围是2.9V至4.8V，内置三个DC-DC变换器，为智能手机和其他便携式设备的AMOLED显示屏提供所需的全部电源轨。550mA VOUT1升压变换器的输出电压是可调的，不同于把[详细]
全球各国在陆续实现“碳达峰”目标之后，相继发布了本国实现“碳中和”的具体时间规划，勾画出一个“无碳未来”的美好蓝图。在净零排放不断被写入各国法律的情况下，减小能源损耗，提升系统效率已经成为各行业的头等大事。在政策红利下，智能电网迎来历史性的发展机遇。预计到2024年，全球智能电网的市场规模将[详细]
全球领先的蜂窝通信模组和GNSS定位模组供应商移远通信正式推出两款纳秒级高精度GNSS授时模组L26-T和LC98S。这两款模组均采用意法半导体的Teseo Ⅲ平台研发，支持全星座卫星信号接收，可以为全球通信基站、金融服务、电力系统、铁路调度等行业应用提供精密授时服务。时间在我们的日常生活中扮演着重要的角色。“[详细]
新推出的SLLIMM大功率产品简化了设计，节省了电机驱动平台(最高5 kW)的物料成本。STGIK50CH65T是最新推出的紧凑型大功率双列直插式智能功率模块(IPM)，属于SLLIMM（小型低损耗智能模封模块） High Power 系列。新推出的SLLIMM HP 650 V/50 A产品在设计时采用全新内部驱动器配置(具有沟槽栅场截止IGBT， 加上一个[详细]
基于氮化镓 (GaN) 的产品可以取得更高的能效，帮助工程师设计出更紧凑的电源，适合各种消费、工业和汽车应用意法半导体PowerGaN系列第一款产品现已投产；很快还将推出其他的不同封装和规格的产品意法半导体（简称ST）推出了一个新系列——氮化镓(GaN)功率半导体。该系列产品属于意法半导体的STPOWER产品组合，能[详细]
新型硅基快速恢复体二极管超结 MOSFET系列为全桥相移ZVS拓扑提供理想的效率和可靠性ST超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷(Qrr)和超快快恢复时间(trr)，以及出色的品质因数(RDS(on)x Qg)，能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率和功率水平，适用于工业和汽车应用。该产品系列提供了广[详细]
VL53L8 直接飞行时间 (dToF) 传感器非常适用于智能手机以及智能扬声器、人机界面、消费类激光雷达和 AR/VR/MR传感器集成新的革命性超表面透镜 (metasurface lens) 技术和性能更强、能效更高的激光源和片上处理改进技术服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简[详细]
意法半导体的 ST25R3916B-AQWT 和ST25R3917B-AQWT NFC Forum读取器芯片输出功率大，能效高，价格具有竞争力，支持 NFC 发起设备、目标设备、读取和卡模拟四种模式，目标应用包括非接支付、设备配对、无线充电、品牌保护以及其他工业和消费类应用。新器件引入了灵活性更高的主动波形整形 (AWS)改进技术，可以简化[详细]
STM32 ODE 生态系统快速、经济的原型设计和开发STM32开放开发环境（ODE）在一个开放、灵活、简单、经济的开发环境下，基于STM32位微控制器，结合其他通过扩展板连接的ST尖端原件，从而快速进行原型设计，迅速转换为最终设计。STM32ODE包括下述五个单元：STM32 Nucleo开发板。全面的经济型开发板，适用于所有STM[详细]
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