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2023-08瑞萨电子MCU和MPU产品线将支持Microsoft代码写入

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布其客户现可以使用Microsoft Visual Studio Code（VS Code）开发瑞萨全系列微控制器（MCU）和微处理器（MPU）。瑞萨已为其所有嵌入式处理器开发了工具扩展，并将其发布在Microsoft VS Code网站上，使习惯于使用这款流行的集成开发环境（IDE）和代码编[详细]

2022-08铠侠发布第二代XL闪存超耐写的SLC、MLC回来了

由于成本更低，近年来闪存逐渐过渡到了TLC、QLC类型，只不过这些闪存的性能及可靠性是不如SLC、MLC的，后者写入寿命可达5000次甚至1万次以上，好在铠侠日前推出了第二代XL-Flash闪存，这次就增加了MLC，有望大幅提升容量。铠侠的XL-Flash闪存虽然也是基于BiCS NAND闪存技术，但它的定位不同于常见闪存[详细]

2022-06航顺芯片HK32F103xC/D/E-flash擦写应用及注意事项

HK32F103x/C/D/E是航顺公司推出的中大容量的F103系列芯片。作为32位MCU，基本会内置flash以便应用程序的存储及更新，其可靠性及访问速度也远远优于外部flash。Flash闪存主要特性高达512 Kbyte Flash存储器存储器结构： ◆主闪存模块：512Kbyte,该存储块划分为256（Page）×2Kbyte◆选项字节有256个字闪存的[详细]

2020-08什么是eeprom地址、读写次数与程序？

什么是EEPRO读书次数？开发电子产品时，常常需要断电后保存某些数据，这就需要使用EEPROM芯片，这种芯片，可擦除的次数是有限制的，通常EEPROM为100万甚至1000万次。 EEPROM可以单个字节进行擦除，存储容量不大，只适合存储少量的设置数据。[详细]

2019-09关于FLASH寿命的读写方法

NOR(或非)和NAND(与非)是市场上两种主要的Flash闪存，sNORFLASH 和CPU之间不需要其他电路控制，NOR flash可以芯片内执行程序，而NAND FLASH 和CPU 的接口必须由相应的控制电路进行转换， NAND FLASH 以块的方式进行访问，不支持芯片内执行。 NAND FLASH 比NOR FLASH 容量大，价格低， NAND flash中每个块的[详细]

2019-09Nand Flash的擦写次数与使用寿命

Nand Flash因为其电气特性，读和写是按页来读取的，而擦除是按照块来擦除的，了解这些，我们就比较容易去理解Nand Flash的擦写次数与使用寿命。通常，一个对NAND的写操作包括如下步骤:1) 从NAND中读取一个页面，内容放入NANDflash的寄存器中。2) 更新寄存器中的内容3) 找一个空白页4)[详细]

2019-06 MCU SPI接口是如何对外部w25Q64的读写的

1.SPI是串行外围设备接口。SPI的接口主要应用在EEPROM，FLASH，实时时钟， AD 转换器，还有数字信号处理器和数字信号解码器之间。2. SPI，是一种高速的，全双工，同步的通信总线，3.芯片的管脚上只占用四根线， STM32 也有 SPI 接口。4.Master与Slave :主机与从机。5.SPI 接口一般使用 4 条线通信：MISO 主设备[详细]

2019-05MDK972-EK开发板裸调试设置和裸机程序烧写（转）

硬件平台：MDK972-EK开发板编译调试软件：KEIL uVision4仿真工具：JLINK V7/V8 本例子从串口输出信息，如图： KEIL uVision4调试设置如图所示：开发板启动方式设置：1、需要禁用硬件看门狗和使能JTAG引脚功能，如图所示： 2、可以将开发板设置于USB启动[详细]

2019-05寄存器就是这么写出来的

今天来说说新唐库函数的写法讲解，一般来说，我们给寄存器定义地址或分配地址，无外乎就是宏定义或者结构体，而新塘呢，同样也是如此，作为C高级语言，一般上升到M0,M4就会有大量的寄存器和配置参数，但是相对来说，性能也会提高。typedef struct{ /** * PWRCON * ========================[详细]

2019-05Winbond W25QXX SPI Flash使用笔记

相较于EEPROM而言，SPI Flash的存储空间简直就是打开了一个新世界。以W25Q16为例，16Mb也就是2MB的空间，是AT24C08芯片的1KB空间的2048倍，价格也没有相差很多。同时使用SPI总线可以实现更高的读写速度，W25Qxx的SPI总线可以达到80MHz，这是IIC总线望尘莫及的，而且我比较喜欢用的STM32单片机的IIC总线总是让人[详细]

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