Nand Flash因为其电气特性，读和写是按页来读取的，而擦除是按照块来擦除的，了解这些，我们就比较容易去理解Nand Flash的擦写次数与使用寿命。通常，一个对NAND的写操作包括如下步骤:1) 从NAND中读取一个页面，内容放入NANDflash的寄存器中。2) 更新寄存器中的内容3) 找一个空白页4)
相较于EEPROM而言，SPI Flash的存储空间简直就是打开了一个新世界。以W25Q16为例，16Mb也就是2MB的空间，是AT24C08芯片的1KB空间的2048倍，价格也没有相差很多。同时使用SPI总线可以实现更高的读写速度，W25Qxx的SPI总线可以达到80MHz，这是IIC总线望尘莫及的，而且我比较喜欢用的STM32单片机的IIC总线总是让人
什么是固态硬盘固态驱动器（Solid State Disk或Solid State Drive，简称SSD），俗称固态硬盘，固态硬盘是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，是由FLASH闪存作为基础存储介质的存储设备，SSD由控制单元和存储单元（FLASH芯片、DRAM芯片）组成。被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电
颖特新科技讯：2019年9月2日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）在IC China 2019前夕宣布，公司已开始量产基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。作为中国首款64层3DNAND闪存，该产品将亮相IC China 2019紫光集团展台
FLASH闪存目前有两种类型分别是NOR和NAND，1988年inter首先开发出NOR flash技术，紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。现在就来讲讲二者的主要区别吧。一.存储区别NOR的特点是芯片内执行，这样应用程序可以接在flash闪存内运
RAS： Row Address Strobe，行地址选通脉冲；CAS： Column Address Strobe，列地址选通脉冲；tRCD： RAS to CAS Delay，RAS至CAS延迟；CL： CAS Latency，CAS潜伏期（又称读取潜伏期），从CAS与读取命令发出到第一笔数据输
三星半导体的eUFS有哪些呢？以下是颖特新工程师为客户整理的SamSung 常用eUFS 型号列表，可方便客户选型。Part NumberVersionDensityVoltagePackage SizeKLUBG4G1ZF-B0CPUFS 2.132GB1.8 / 3.3 V11.5 x 13 x 1.2 mmKLUBG4G1ZF-B0CQUFS 2.132GB1.8 / 3.3 V11.5 x 13 x 1.2 mmKLUCG2K1EA-B0C1UFS 2.164GB1.8 / 3.3
芯片和模块记忆芯片DDR-200:DDR-SDRAM 记忆芯片在 100MHz 下运行DDR-266:DDR-SDRAM 记忆芯片在 133MHz 下运行DDR-333:DDR-SDRAM 记忆芯片在 166MHz 下运行DDR-400:DDR-SDRAM 记忆芯片在 200MHz 下运行(JEDEC制定的DDR最高规格)DDR-500:DDR-SDRAM 记忆芯片在 250MHz 下运行(非JEDEC制定的DDR规格)DDR-600:DDR-SD
SDRAM之所以成为DRAM就是因为它要不断进行刷新(Refresh)才能保留住数据，因为刷新(Refresh)是DRAM最重要的操作。那么要隔多长时间重复一次刷新，目前公认的标准是，存储体中电容的数据有效保存期上限是64ms(毫秒，1/1000秒)，也就是说每一行刷新的循环周期是64ms。这样刷新速度就是:64ms/行数量。我们在看内存规
一、影响性能的主要时序参数所谓的影响性能是并不是指SDRAM的带宽，频率与位宽固定后，带宽也就不可更改了。但这是理想的情况，在内存的工作周期内，不可能总处于数据传输的状态，因为要有命令、寻址等必要的过程。但这些操作占用的时间越短，内存工作的效率越高，性能也就越好。非数据传输时间的主要组成部分就
