1、闪存基本介绍Flash存储是存储界的新人和红人。Flash存储系统由于其优异的性能、高效的存储密度和出色的节能特性使得Flash存储有望替代机械磁盘成为企业级存储的核心。未来很有可能所有的数据都会存储在Flash存储介质上面，包括银行、中小企业、互联网、电信等存储大户。紫外线可擦除存储器当年沉迷于电子设计
本文主要介绍如何对Nand Flash进行测试，适用与华邦品牌，也适用其它同行品牌。FT : Design For TestabilityTTR :Test Time ReductionKGD: Known Good DieNAND Flash 芯片测试主要是为了筛选（Screen Out）出Flash阵列、译码器、寄存器的失效。测试流程（Test Flow）从wafer level，到single component level、
W25Q80(SPI)产品特性：W25Q80是台湾华邦电子（Winbond）生产的8M-bit串列flash晶片。主要特性有：工作电压：2.5 ~ 3.6 V功耗：读写（active）时4mA，低功耗（power-down）时<1μA容量：8M-bit/1M-byte，包含4096个页（每页大小256位元组）介面：Standard/Dual/Quad SPI，支援时钟频率最高104MHz支援以4/32/6
特点简介：SRAM ： 静态RAM，不用刷新，速度可以非常快，像CPU内部的cache，都是静态RAM，缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多，因而价格昂贵，容量不大。 DRAM： 动态RAM，需要刷新，容量大。 SDRAM ：同步动态RAM，需要刷新，速度较快，容量大。 DDR SDRAM： 双通道同步动态RAM，需要刷新，
内存供货商旺宏电子(Macronix)，6月15日举行股东会，董事长吴敏求表示，NOR Flash与NAND Flash内存的需求持续满载，工业与车用的比例将进一步提升。吴敏求指出，Flash内存在汽车与工业应用的比重将持续增加，由目前的26% 提升至约30%左右；此外，在NOR Flash方面，目前在日本市场的市占率已超过50%，而公司的目
作为一位资深销售员工，今天和大家交流交流LPDDR4相比于LPDDR3的差异，感兴趣的机油不妨一同来学习一下哦~~ Die的设计改进LPDDR4的本质还是DRAM，其基本的存储单元电容并加mos开关的方式并未发生变化。为了获取更快的读写速度，仅仅提升外部的总线吞吐能力是不行的，LPDDR4在die的设计上做了改进优化，来配
前言：在嵌入式开发中，如uboot的移植，kernel的移植都需要对Flash 有基本的了解。下面细说一下标题中的中Flash中的关系。Flash Memory(闪存)是非易失性的存储器。一、Flash的内存存储结构flash按照内部存储结构不同，分为两种：nor flash和nand flash。Nor FLASH使用方便，易于连接，可以在芯片上直接运行代码
DDR3内存条和eMMC存储器区别： 1. 存储性质不同；2. 存储容量不同 ；3. 运行速度不同；4. 用途不同。具体区别如下：1、存储性质不同：eMMC是非易失性存储器，不论在通电或断电状态下，数据都是可以存储的，而DDR3内存是易失性存储器，断电同时，数据即丢失。2、存储容量不同：eMMC的存储容量要比DDR3内存
二者同为SPI-Flash，前者为华邦公司产品，后者是GD公司产品。W25Q80：8M-bit 1024KB 80MHz clock operation共有16个Block，每个Block有16个扇区，每个扇区4KB，每一页256个字节每个设备有64位唯一IDGD25Q80：8M-bit 1024KB 120MHz 快速阅读共有16个Block，每个Block有16个扇
SPI，是英语Serial Peripheral interface的缩写，顾名思义就是串行外围设备接口。SPI接口主要应用在 EEPROM，FLASH，实时时钟，AD转换器，还有数字信号处理器和数字信号解码器之间。SPI总线系统是一种同步串行外设接口，可以使MCU与外围设备以串行方式进行通信。SPI flash是串行通信接口的NOR FLASH。NOR-FLASH
