PSRAM是一种伪静态SRAM存储器，它具有类似SRAM的接口协议：给出地址、读、写命令，就可以实现存取，不像DRAM需要memory controller来控制内存单元定期数据刷新，接口简单；PSRAM的内核是DRAM架构：1T1C一个晶体管一个电容构成存储cell，而传统SRAM需要6T即六个晶体管构成一个存储cell。由此结合，他可以实现类S
PSRAM，全称Pseudo static random access memory，属于伪静态SRAM器件，内置内存颗粒和SDRAM的颗粒类似，器件外部接口和SRAM相似，不需要跟SDRAM一样复杂的控制器和刷新机制可以采用跟SRAM一样的接口模式外扩PSRAM器件。PSRAM芯片容量包括1Mbytex8，2Mbytex8，4Mbytex8，8Mbytex8四种，不能够与SDRAM的高密度容
SDRAMH57V2562GTR-75C 256M(16*16)K4S561632N-LC60 256M(16*16) DDRK4H561638N-LCCC 256Mb<16M*6> H5DU2562GTR-E3C 256Mb<16M*6> K4H511638J-LCCC &nb
存储器分为易失性存储器和非易失性存储器，区别在于前者掉电后数据会被清除通常RAM（随机读取存储器）就是易失性存储器的代表，它有包含有DRAM（动态随机存储器）和SRAM（静态随机存储器），他们之前不同在于生产工艺的不同，SRAM保存数据是靠晶体管锁存的，DRAM保存数据靠电容充电来维持。SRAM的工艺复杂，生产
DFT : Design For TestabilityTTR :Test Time ReductionKGD: Known Good DieNAND Flash 芯片测试主要是为了筛选（Screen Out）出Flash阵列、译码器、寄存器的失效。测试流程（Test Flow）从wafer level，到single component level、module level，定义各项测试的次序，筛选出性能较差和失效的device，需要
一、DIP双列直插式封装DIP(DualIn－linePackage)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝 大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯 片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。
STM32f1xxx的闪存模块由：主存闪存、信息块和闪存存储器接口寄存器等3部分组成。各个部分的大小因不同型号有一定的差异，数据手册可以看到小容量产品主存储块1-32KB，每页1KB。系统存储2KB。中容量产品主存储块64-128KB，每页1KB。系统存储2KB。大容量产品主存储块256KB以上，每页2KB。系统存储2KB。主存储器：
W25X64 是华邦公司推出的大容量SPI FLASH 产品，W25X64 的容量为 64Mbit(8M)，该系列还有 W25Q80/16/32 等。W25X16,W25X32,W25X64分别有8192,16384,32768个可编程页,每页256字节,用扇区擦除指令每次可以擦除16页,用块擦除指令每次可以擦除256页,用整片擦除指令既可以擦除整个芯片,W25X16,W25X32,W25X64分
NAND Flash是一种非易失性随机访问存储介质，基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计，通过浮栅来锁存电荷，电荷被储存在浮栅中，它们在无电源供应的情况下仍然可以保持。关于NAND Flash技术基本原理之前有过讲解，大家可以参考文章闪存技术最全面解析。今天主要讨论下NAND Flash生产过程、架构和关键指标。NAND Fl
1，按照JEDEC标准（JESD79-4），DDR4目前标准的JEDEC官方频率规格的为1600，1866，2133，2400，2666，3200，简单来说就是，这六个频率为官方标准的原生默频频率（由于JEDC最高为3200，因此3200以上均为非规范频率，比如XMP），1600和1866这两个频率将应用在某些特殊行业及领域，零售领域从2133起售。在官方标准
