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2022-07兆易创新1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列问世,“超小尺寸、超轻薄、宽电”持续领跑市场

业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice(股票代码 603986)宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列,采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封装,最大厚度仅为0.4mm,在如此紧凑、轻薄的空间内,其功耗、电压范围等方面均实现了进一步提升,为消费电子、可穿戴设备、物联网以及便携式健康监测设备等对电[详细]


2022-07英飞凌推出新款高能效IPOL DC-DC降电源模块

这些电源模块配备有集成的电感元件,将助力客户实现更精简的设计同时节省系统空间当前,服务器、通信和网络存储应用都在尽最大努力降低功耗和缩减解决方案的尺寸。与此同时,瞬息万变的市场也要求系统解决方案提供商比以往更快地满足市场需求。有鉴于此,英飞凌科技股份公司(FSE代码: IFX / OTCQX代码[详细]


2022-07半导体:跨越“抗高和高可靠”两座大山,GaN方能大规模“上车”

今年开始,GaN车规化获得很多企业的青睐,不仅有圈内大厂ST、英飞凌、TI将其列为重推产线,更有纳微、安世等后发新秀,纷纷借助GaN优势的性能打出一系列车用级产品,推动GaN“上车”声浪节节走高。但从在市场实际渗透方面,GaN显然还是比SiC要慢半拍。 很多公司通过GaN去尝试Jedec标准工业级尝试,但是都失[详细]


2022-07uPI推出高性能同步整流升芯片uP6018

uP6018是uPI(力智半导体) 推出的一款高性能的升压同步整流转换器,内置有6毫欧低阻抗功率开关管,9毫欧同步整流开关,3-5.5V输入电压范围,4-13V输出电压范围,最大输出功率可达20W,适用于快充移动电源以及电子烟。封装方式为WQFN4x4-32L,体积非常小巧。其设定的开关频率为450KHz,内建OVP、UVP、OCP和OTP多[详细]


2022-07美国再施荷兰禁止对华出口光刻机技术,荷兰没同意

据美国彭博社7月6日报道,美方知情人士透露,美国正在向荷兰政府施压,要求该国的半导体制造商阿斯麦公司(ASML)禁止对华出口生产全球大量芯片所需的的主流技术。彭博社指出,美国是以此扩大遏制中国崛起的行动。报道称,华盛顿方面要求荷兰方面实施的限制措施,将使现行的向中国出售最先进设备的限制范围进一[详细]


2022-07纳芯微全新表力传感器NSPGS5系列

全球抗击疫情中,呼吸机成为救治新冠肺炎重症患者的重要医疗设备之一。呼吸机作为能人工替代自主通气功能的有效手段,已普遍应用于现代临床医学中的重症、急诊、麻醉医学以及家庭保健护理等领域。随着人们健康意识的不断加强,带动了家用医疗器械的高速发展,家用呼吸机还可以帮助打鼾人群缓解呼吸困难[详细]


2022-07ABLIC推出带电池电监视端子 单节电池保护IC S-82R1/S-82S1系列

使用电池电压监视端子(BS端子)可以准确监视电压6月28日——Minebea Mitsumi Inc. 旗下的艾普凌科有限公司(ABLIC Inc.,总裁:Nobumasa Ishiai,总部:东京都港区,下称“ABLIC”)今天推出S-82R1/S-82S1系列单节电池保护IC,该产品通过使用电池电压监视端子(BS端子)能准确监视电池电压。今天发布的新产品S[详细]


2022-07ST意法半导体TSB622灵活高运放瞄准汽车和工业环境应用

2022年7月1日,中国 —— 意法半导体 TSB622 通用低功耗双算放大器(运放)增强在工业和汽车应用中的鲁棒性和灵活性。TSB622的单位增益稳定,工作温度范围扩至 -40°C 至 125°C,取得了车规级认证,支持2.7V 至 36V 的宽电源电压,设计人员可以用同一器件设计有不同电压域的多种应用,轨到轨输出最大限度地提高动[详细]


2022-07ROHM高精度、超低功耗支持40V电的窗口型复位IC“BD48HW0G-C”

为需要功能安全的车载和工业设备提供节能且具有高可靠性的电压监控功能*窗口(型)复位IC: 可同时检测过压和欠压的复位IC全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向需要对电子电路进行电压监控以确保安全的各种车载和工业设备应用(包括车辆引擎控制单元和FA设备),开发出具有高精度和超低[详细]


2022-07Vishay新推出的24 V XClampR 瞬态电抑制器的性能达到业界先进水平

颖特新科技讯:Vishay宣布,推出三款新系列24 V表面贴装XClampR®瞬态电压抑制器 (TVS)---XMC7K24CA、XLD5A24CA和XLD8A24CA,在SMC(DO-214AB)封装器件10/1000 μs条件下,和DO-218AB封装器件10/10 000 μs条件下,提供相当于常规TVS 7KW 峰值脉冲功率。这种双向器件工作温度-55 °C至+175 °C,功率密度[详细]


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